原因分析

   靜電放電時,通常通M25P40-VMN6TB過以下幾種方式影響電子設(shè)備:

   (1)初始的電場能容性耦合到表面積較大的網(wǎng)絡(luò)上,并在離EsD電弧100mm處產(chǎn)生高達的高電場。

   (2)電弧注人的電荷、電流可以產(chǎn)生以下?lián)p壞和故障:

   ①穿透元器件的內(nèi)部薄的絕緣層,損毀MOSFET和CMOS的元器件柵極;

   ②CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;

   ③短路反偏的PN結(jié);

   ④短路正向偏置的PN結(jié);

   ⑤熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。

   (3)靜電放電電流導(dǎo)致導(dǎo)體上產(chǎn)生的電壓脈沖(σ=L・dj/d莎),這些導(dǎo)體可能是電源或地、信號線,這些電壓脈沖將進人與這些網(wǎng)絡(luò)相連的每一個元器件。

   (4)電弧會產(chǎn)生一個頻率范圍在1~500MHz的強磁場,并感性耦合到鄰近的每一個布線環(huán)路中,在離EsD電弧100mm遠(yuǎn)處的地方產(chǎn)生高達幾十~q/m的磁場。

   (5)電弧輻射的電磁場會耦合到長的信號線上,這些信號線起到了接收天線的作用。在此產(chǎn)生中當(dāng)向RJ-0~s的金屬外殼進行接觸放電時,RT-笱通過接地線接至參考地,接觸放電時會產(chǎn)生一個瞬態(tài)的大放電電流,該電流將在附近產(chǎn)生一個較大的電磁場,如果此 時暴露在該電磁場中的器件或信號比較敏感,系統(tǒng)就會出現(xiàn)不正�，F(xiàn)象。而此產(chǎn)品中被干擾的信號線距RJ-笱上的靜電放電點約3cm的距離,可見,在此案例中的問題主要是以上幾種靜電放電對于設(shè)各影響種類中的最后一種,即電弧輻射的電磁會耦合到長的信號線上,

這些信號線起到了接收天線的作用。并聯(lián)旁路電容后,一部分耦合到的能量被電容濾除,從而保護了器件接收的信號。