原來,值為1nF的電容在本案例所產(chǎn)生的輻射頻率的范圍內(nèi)的阻抗要比10pF的結(jié)電容小很多,1nF旁路電容的連接相當(dāng)于把Δσ“短路”了,如圖5.48所示。 LAUNCHXL-CC1350US

   這也許是個(gè)不可思議的結(jié)果,但是事實(shí)還是發(fā)生了。經(jīng)過這樣改動后,也許有人會懷疑,111F電容的存在會使Em//B抗干擾能力降低,理由是1nF電容比原來的10pF結(jié)電容大很多,在E「r/B干擾的頻率下,阻抗也會小很多,那么自然流經(jīng)數(shù)字電路的電流也會增大(如圖5.⒆所示),因此EFT/B測試也許會不能通過。

   經(jīng)過測試,結(jié)果正好相反,抗EFVB干擾的能力并沒有降低,相

反提高了很多,原來只能通過信號線±1kⅤ測試的本產(chǎn)品,現(xiàn)在能通過±2kⅤ測試(拆除1nF電容后,只能通過±1kⅤ)。 以下是數(shù)字電路地與模擬電路地之間接1rlF旁路電容后反而使E「r/B抗干擾能力提高的解釋。