CMOs圖像傳感器
發(fā)布時(shí)間:2017/10/17 21:39:49 訪問(wèn)次數(shù):671
CIS英文全名CMOS(Comp1ementary Metal-O妊de Semiconductor)Image Sensor,中TA7668BP文意思是互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器。CMOS圖像傳感器雖然與傳統(tǒng)的CMOS電路的用途不同,但整個(gè)晶圓制造環(huán)節(jié)基本上仍采用CMOS工藝,只是將純粹邏輯運(yùn)算功能變?yōu)榻邮胀饨绻饩后轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)并傳遞出去,因而具有CMOS的基本特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。不同于被動(dòng)像素傳感器(Passive Pixel⒏nsor),σS是帶有信號(hào)放大電路的主動(dòng)像素傳感器(Active Pixel Sensor)。
在目前最典型的4Transistor Pixel Photodiode(像素光電二極管)設(shè)計(jì)中,我們通過(guò)四個(gè)階段來(lái)完成一次光電信號(hào)的收集和傳遞(見(jiàn)圖3.33):第一步打開(kāi)Tx和Rx晶體管,對(duì)光電二極管做放電預(yù)處理;第二步關(guān)閉Tx和Rx,通過(guò)光電效應(yīng)讓光電二極管充分收集光信號(hào)并轉(zhuǎn)化為電信號(hào);第三步打開(kāi)Rx,讓Floating Diffusion釋放殘余電荷;第四步關(guān)閉Rx并打開(kāi)Tx,讓光電子從Photodiode抽取到Floating Dffusion中,最后就可以通過(guò)Sx將電荷轉(zhuǎn)換成電壓進(jìn)行放大以提高傳輸過(guò)程中抗干擾能力,并通過(guò)Rs做選擇性輸出[64’65]。隨著圖像傳感器的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,及市場(chǎng)對(duì)圖像品質(zhì)要求不斷提高,αS技術(shù)已從傳統(tǒng)的FSI(Frontside Ⅱ1umination)過(guò)渡到當(dāng)下主流的BSI(Backside Ⅱlumination)(見(jiàn)圖3.34)。在完成傳感器所有制程后(不包括PAD connection),就可以進(jìn)入后端BSI制程,其主要步驟如下:
CIS英文全名CMOS(Comp1ementary Metal-O妊de Semiconductor)Image Sensor,中TA7668BP文意思是互補(bǔ)性金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器。CMOS圖像傳感器雖然與傳統(tǒng)的CMOS電路的用途不同,但整個(gè)晶圓制造環(huán)節(jié)基本上仍采用CMOS工藝,只是將純粹邏輯運(yùn)算功能變?yōu)榻邮胀饨绻饩后轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)并傳遞出去,因而具有CMOS的基本特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。不同于被動(dòng)像素傳感器(Passive Pixel⒏nsor),σS是帶有信號(hào)放大電路的主動(dòng)像素傳感器(Active Pixel Sensor)。
在目前最典型的4Transistor Pixel Photodiode(像素光電二極管)設(shè)計(jì)中,我們通過(guò)四個(gè)階段來(lái)完成一次光電信號(hào)的收集和傳遞(見(jiàn)圖3.33):第一步打開(kāi)Tx和Rx晶體管,對(duì)光電二極管做放電預(yù)處理;第二步關(guān)閉Tx和Rx,通過(guò)光電效應(yīng)讓光電二極管充分收集光信號(hào)并轉(zhuǎn)化為電信號(hào);第三步打開(kāi)Rx,讓Floating Diffusion釋放殘余電荷;第四步關(guān)閉Rx并打開(kāi)Tx,讓光電子從Photodiode抽取到Floating Dffusion中,最后就可以通過(guò)Sx將電荷轉(zhuǎn)換成電壓進(jìn)行放大以提高傳輸過(guò)程中抗干擾能力,并通過(guò)Rs做選擇性輸出[64’65]。隨著圖像傳感器的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,及市場(chǎng)對(duì)圖像品質(zhì)要求不斷提高,αS技術(shù)已從傳統(tǒng)的FSI(Frontside Ⅱ1umination)過(guò)渡到當(dāng)下主流的BSI(Backside Ⅱlumination)(見(jiàn)圖3.34)。在完成傳感器所有制程后(不包括PAD connection),就可以進(jìn)入后端BSI制程,其主要步驟如下:
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