接近式曝光的分辨率理論極限是其中,乃代表光刻膠的參數(shù),通常在1~2之間;CD代表最小尺寸,即cⅡtical dimeI△⒍on,通常對應(yīng)最小能夠分辨的空間周期的線寬;λ指曝光的波長;g代表掩膜版到光刻膠表空

隙的距離(g=0對應(yīng)接觸式曝光)。 XC1765EJC由于g通常大于10um(由掩膜版和硅片表面平整度所限制),分辨率受到很大限制,如對450nm照明波長,分辨率在3um。而接觸式曝光可以達(dá)到0,7um。

   為了突破缺陷和分辨率的雙重困難,投影曝光方案被提了出來,其中掩膜版和硅片被分開好幾厘米以上。光學(xué)透鏡被用來將掩膜版上的圖案透鏡成像到硅片上。隨著市場需求更大的芯片尺寸以及更嚴(yán)格的線寬均勻性控制,投影曝光也從當(dāng)初的全硅片曝光逐步發(fā)展到全硅片掃描曝光(見圖7.2(a))、步進(jìn)分塊重復(fù)曝光(step an汪repeat×見圖7.2(b)),到最終的步進(jìn)分塊掃描曝光(step an山scan×見圖7。2(c))。