盡管存在一些相似性,集成電路XC1765DPD8C中的光刻技術(shù)使用光而不是墨水P有墨水和沒(méi)有墨水的池方也變戍了在掩膜版上有光和沒(méi)有光的地方。在集成電路制造業(yè)中,hthography也此被叫做Photolithography,或者光刻。就像油性的墨水有選擇地沉積到石灰石上,光只能 夠通過(guò)掩膜版上透明的區(qū)域,投射光被記錄在一種叫做光刻角的光敏感材料上。光刻過(guò)程的簡(jiǎn)單示意圖如圖7,1所示。

   由于光刻膠經(jīng)過(guò)紫外(UV)光的照射后會(huì)經(jīng)歷在顯影液中溶解率的變化,掩膜版上的圖形會(huì)因此被轉(zhuǎn)移到硅片頂層的光刻膠層上。有光刻膠覆蓋的地方可以通過(guò)阻止進(jìn)一步的I藝處理(如刻蝕或耆離子注人)來(lái)實(shí)現(xiàn)掩膜版圖形的進(jìn)一步轉(zhuǎn)移。

   自從1960年以來(lái)的光刻技術(shù)可以分成以下三種類(lèi)型:接觸式曝光、接近式曝光和投影式曝光。最早出現(xiàn)的是接觸式或者接近式曝光[3Jl,這種曝光方式直到⒛世紀(jì)中期一直是制造業(yè)的主流。對(duì)接觸式曝光來(lái)講,由于掩膜版和硅片頂層之間理論上沒(méi)有空隙,分辨率不是問(wèn)題。但是,由于接觸會(huì)造成掩膜版和光刻膠的磨損而產(chǎn)生缺陷,人們最終選擇了接近式曝光。當(dāng)然,在接近式曝光中,雖然缺陷被避免了,但是由于存在空隙和光的散射,接近式曝光的分辨率被限制在3um或者更大。