由于影響此范圍內(nèi)的因素很多,只討論一些主要的方法。

   (1)提高工藝窗口,優(yōu)化工S8065K藝窗口。對于密集圖形,可以采用離軸照明來同時提高對比度和對焦深度,通過相移掩膜版來提高對比度;對于孤立圖形,可以采用亞衍射散射條(Sub Resolution Assist Features,SRAF)來提高孤立圖形的對焦深度;對于半孤立圖形,也就是空間周期小于兩倍的最小空間周期,并且稍大于最小的空間周期,這里的工藝窗口會達(dá)到幾乎困難的狀態(tài),又叫做“禁止空間周期”(“forbiddcn pitch”),如圖7.31所示[19~21]。

   圖7.31 130nm柵極工藝中,線寬隨著空間周期的變化,其中顯示了兩臺248nm光刻機的數(shù)據(jù)。照明條件為0.68NA/0.75ll375環(huán)型(Annular)從圖7.31中可以看到,相對于310nm的最小空間周期,在500nm周期附近,線寬從130nm下降到了90nm左右。其中(在這里沒有展示)也包含了對比度和焦深的顯著下降。

   禁止空間周期的產(chǎn)生是由于在邏輯電路的光刻中,在不同的空間周期或者圖形鄰近情況下,需要維持固定的最小線寬而導(dǎo)致的嚴(yán)重的非等間距成像的對比度不足,它主要是由離軸照明對半密集圖形的局限性造成。通常,離軸照明只對最小空間周期有強大的幫助,對處于最小空間周期和2倍最小空間周期的所謂“半密集”圖形反而起到一定的負(fù)面影響。為了改善在所謂的禁止周期內(nèi)的工藝窗口,離軸照明的離軸角度要適當(dāng)?shù)乜s小,以取得平衡的線寬均勻性表現(xiàn)。