其他改善線寬均勻性的方法
發(fā)布時(shí)間:2017/10/26 21:24:13 訪問次數(shù):717
改進(jìn)光刻機(jī)的狹縫照明均勻性、像差、焦距及找平控制、平臺(tái)同精度以及溫度控制精度;SC1004CS改進(jìn)掩膜版線寬的均勻性;改善襯底,減小襯底對光刻的影響(包括增加對焦深度,改進(jìn)抗反射層)等。其中,4.2節(jié)曾提到,增加設(shè)計(jì)圖案的均勻性,有利于提高找平的準(zhǔn)確性,事實(shí)上增加對焦深度。
圖形的邊緣粗糙程度一般由以下幾個(gè)因素造成:
(1)光刻膠的固有粗糙程度:由光刻膠的分子量大小、分子量的大小分布以及光酸產(chǎn)生劑(Phot⒍Acid Generator,PAG)的濃度相關(guān)。
(2)光刻膠的顯影溶解率隨光強(qiáng)增加的對比度:溶解率隨光強(qiáng)變化在閾值能量附近變化越陡峭,則由于部分顯影導(dǎo)致的粗糙程度越小。
(3)光刻膠的靈敏度:光刻膠越是不依賴曝光后烘焙(Post Exposure Bake,PEB),線寬的粗糙程度有可能越大,曝光后烘焙可以去除一些不均勻性。
(4)光刻像的對比度「刈或者能量寬裕度:對比度越大,圖形邊緣部分顯影的區(qū)域就越窄,粗糙程度就越低。一般使用線寬粗糙度同圖像對數(shù)斜率(Image Log Slope,ILS)的關(guān)系來表示。
改進(jìn)光刻機(jī)的狹縫照明均勻性、像差、焦距及找平控制、平臺(tái)同精度以及溫度控制精度;SC1004CS改進(jìn)掩膜版線寬的均勻性;改善襯底,減小襯底對光刻的影響(包括增加對焦深度,改進(jìn)抗反射層)等。其中,4.2節(jié)曾提到,增加設(shè)計(jì)圖案的均勻性,有利于提高找平的準(zhǔn)確性,事實(shí)上增加對焦深度。
圖形的邊緣粗糙程度一般由以下幾個(gè)因素造成:
(1)光刻膠的固有粗糙程度:由光刻膠的分子量大小、分子量的大小分布以及光酸產(chǎn)生劑(Phot⒍Acid Generator,PAG)的濃度相關(guān)。
(2)光刻膠的顯影溶解率隨光強(qiáng)增加的對比度:溶解率隨光強(qiáng)變化在閾值能量附近變化越陡峭,則由于部分顯影導(dǎo)致的粗糙程度越小。
(3)光刻膠的靈敏度:光刻膠越是不依賴曝光后烘焙(Post Exposure Bake,PEB),線寬的粗糙程度有可能越大,曝光后烘焙可以去除一些不均勻性。
(4)光刻像的對比度「刈或者能量寬裕度:對比度越大,圖形邊緣部分顯影的區(qū)域就越窄,粗糙程度就越低。一般使用線寬粗糙度同圖像對數(shù)斜率(Image Log Slope,ILS)的關(guān)系來表示。
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