在當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)穩(wěn)步踏人小于45nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn),對(duì)套刻精度的要求越來(lái)越高,已經(jīng)R02101開(kāi)始進(jìn)人個(gè)位數(shù)領(lǐng)域,即小于10nm,平均值+3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差(M∞n+3⒏gma)。已經(jīng)不能滿(mǎn)足線性補(bǔ)償?shù)哪芰�。通常高階的套刻誤差由如下的原因?qū)е?

   (1)網(wǎng)格套刻

   硅片受熱不均勻,如在浸沒(méi)式光刻中水在硅片表面的制冷作用,或者硅片受到非均勻應(yīng)力,如電磁或者真空吸附,硅片表面快速受熱產(chǎn)生永久性范性形變,如快速退火工藝(RapidTher甲al Annealing,RTA)。

   (2)曝光區(qū)套刻

   銻頭畸變(二階、三階畸變),鏡頭由于溫度控制問(wèn)題產(chǎn)生的畸變(二階、三階畸變),以及膜版掃描時(shí)的有規(guī)律擺動(dòng),如沿著X方向的擺動(dòng)。 解決高階的套刻誤差有賴(lài)于對(duì)問(wèn)題的認(rèn)識(shí)和尋找補(bǔ)償?shù)姆椒�。�?duì)于 網(wǎng)格高階偏差,阿斯麥公司推出“網(wǎng)格地圖”(g⒒d mapper)軟件。此軟件可以使用附加的子程序通過(guò)補(bǔ)償光 刻機(jī)的步進(jìn)來(lái)一定程度上彌補(bǔ)高階網(wǎng)格套刻偏差。