硅片平臺分系統(tǒng)
發(fā)布時間:2017/10/29 13:58:57 訪問次數(shù):391
硅片平臺分系統(tǒng)的任務(wù)是協(xié)助鏡頭完成對硅片的精確對準(i線光刻機大于1O0納米,193nm浸沒式光刻機小于10nm),并且對硅片偏離尺度目標的偏差(如套刻偏差(overlaydeviation)、高低偏差(levcling Map))進行曝光前修正。 V80212MA08Q高級的光刻機還能夠在曝光前對鏡頭重要像差(如△階畸變)進行一次快速測量(如阿斯麥公司的光刻機通過透射圖像傳感器(Tmnsmission Image Sensor,TIS)來對鏡頭的低階像差進行測量)并且校正。在對準后,通過精確掃描和步進實現(xiàn)整片硅片準確曝光。硅片平合的精確移動依靠激光干涉計,可以達到幾個納米的精確度。也有的硅片平臺使用編碼-讀碼器(ellcoder)來控制精確移動,如阿斯麥公司的NXT型光刻機,它的套刻精度可以達到3nm。這是由于激光干涉計中激光束需要穿過較長的空間區(qū)域(300mm),在10nm以下的測量中容易受到空氣密度的漲落以及平臺高速運動對空氣的擾動。硅片平臺一般通過氣墊與直線馬達來實現(xiàn)平穩(wěn)運動和快速運動。不過有些光刻機由于無法使用氣墊,如極紫外(EUV)光刻機的硅片平臺在高真空(對 氧氣~109Torr)中運動,無法使用氣墊。硅片平臺在使用真空吸附將硅片抓住以外,還通過硅片背面的加熱器將硅片的溫度穩(wěn)定在一定的精度和分布范圍內(nèi)。
硅片平臺分系統(tǒng)的任務(wù)是協(xié)助鏡頭完成對硅片的精確對準(i線光刻機大于1O0納米,193nm浸沒式光刻機小于10nm),并且對硅片偏離尺度目標的偏差(如套刻偏差(overlaydeviation)、高低偏差(levcling Map))進行曝光前修正。 V80212MA08Q高級的光刻機還能夠在曝光前對鏡頭重要像差(如△階畸變)進行一次快速測量(如阿斯麥公司的光刻機通過透射圖像傳感器(Tmnsmission Image Sensor,TIS)來對鏡頭的低階像差進行測量)并且校正。在對準后,通過精確掃描和步進實現(xiàn)整片硅片準確曝光。硅片平合的精確移動依靠激光干涉計,可以達到幾個納米的精確度。也有的硅片平臺使用編碼-讀碼器(ellcoder)來控制精確移動,如阿斯麥公司的NXT型光刻機,它的套刻精度可以達到3nm。這是由于激光干涉計中激光束需要穿過較長的空間區(qū)域(300mm),在10nm以下的測量中容易受到空氣密度的漲落以及平臺高速運動對空氣的擾動。硅片平臺一般通過氣墊與直線馬達來實現(xiàn)平穩(wěn)運動和快速運動。不過有些光刻機由于無法使用氣墊,如極紫外(EUV)光刻機的硅片平臺在高真空(對 氧氣~109Torr)中運動,無法使用氣墊。硅片平臺在使用真空吸附將硅片抓住以外,還通過硅片背面的加熱器將硅片的溫度穩(wěn)定在一定的精度和分布范圍內(nèi)。
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