多道離子注人工藝采用了不同的側(cè)墻結(jié)構(gòu)以調(diào)整晶體管的源漏結(jié).使其具有最大的驅(qū)動電流,同時(shí)保MJD20/MLE20持低的晶體管寄生電容。偏移間隔通常是由氮化硅或者氧化物組成的。O―N模式,或者O-N-O模式被用來形成側(cè)墻:()N模式由于簡單・可以縮小結(jié)構(gòu)而得到更多的關(guān)注。不僅介質(zhì)刻蝕機(jī),而且導(dǎo)體刻蝕機(jī)都可以進(jìn)行側(cè)墻刻蝕。相應(yīng)的刻蝕氣體,至少包括C1F:/CH3F/CH2F?/CH「∷CFi∷AⅡOJ∷He中的兩個(gè)。要減少腔室記憶效應(yīng),得到更好的均勻性控制,清潔模式刻蝕機(jī)進(jìn)行側(cè)墻刻蝕是首選。偏移問隔的刻蝕的影響可由環(huán)型振蕩器監(jiān)控,這個(gè)因素與柵漏交疊電容(CGI)0)密切相關(guān),環(huán)振損失減小F晶體管的速度,降低了晶圓良率。圖8.21(a)顯示的是柵漏交疊電容移動與偏移問隔寬度之間的密切關(guān)系,圖8,21(b)顯示出1nm偏移間隔的變化,可以尋致NM()S的幾訓(xùn)大約5%的移動。因此,對偏移間隔均勻性良好的控制以及它的形狀偏差的減小可以降低柵漏交疊電容的變化范圍,從而增加良率。圖8.22(a)環(huán)振損失的結(jié)果指出,在I'am23O0versys kiyo刻蝕機(jī)~L,以較低的刻蝕速率.改善偏移問隔的寬度均勻性(3σ為0,7nm),就可以明顯地降低環(huán)振損失,相應(yīng)的晶圓良率提高了4O%。這可以歸為更好的偏移間隔均勻性和更小的形狀偏差的協(xié)同效果,這兩個(gè)因素會影響到注人離子在多晶硅柵內(nèi)部擴(kuò)散的分布。在圖8.22(b)中的環(huán)振

的累積分布函數(shù)曲線,顯示低刻蝕速率偏移刻蝕可以得到更接近日標(biāo)的特性。圖8.23的通用曲線和y`rol卜off曲線顯示出用Lam2300versys kiy°的低刻蝕速率來刻蝕NM()s,其結(jié)果優(yōu)于采用常規(guī)介質(zhì)刻蝕機(jī)的高速率刻蝕,而在PM()s的刻蝕中沒有發(fā)現(xiàn)差異,這是囚為快速的硼擴(kuò)散使得PMOs對偏移問隔均勻性和形狀的偏差不敏感。