金屬刻蝕主要用于金屬硅化物的形成。M()s電極的制作是在品片上沉積一層金屬,第W107DIP-5一次高溫處理后,金屬會自對準在有硅的地方(M()S的源極、漏極、柵極)反應(yīng),形成阻值較低的金屬硅化物.沒反應(yīng)的金屬用濕法刻蝕去除,接著進行第二次高溫處理,得到阻值更低的金屬硅化物,而刻蝕化學(xué)品要求有高的選擇比,即只與金屬反應(yīng),不侵蝕金屬硅化物。最早使用的金屬是鈦(Ti),隨后逐漸推進到鈷(Co)、鎳(Ni)、鎳鉑合金(NiPt),到32nm以下CMOS器件,為了得到高集成、快速、低能耗的品質(zhì),義嘗試用金屬柵極替代以往的植入式 多晶硅柵極。當然,后段制程雖沒用到金屬濕法刻蝕←-般用CMP平坦化金屬或干刻蝕金屬連線通道TRENCH/VIA),但CVD、PVD、CMP的金屬擋控片的網(wǎng)收利用仍然離不開濕法刻蝕。以下分別介紹。