氮化硅在半導(dǎo)體制程上的生長方式,象氧化硅一樣,有爐管批和單片化學(xué)氣相沉積(CVD)法, S912XEP100W1MALR主要應(yīng)用是作刻蝕的硬式幕罩或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)和干刻蝕的停止層,如淺溝槽隔離(STI)刻蝕幕罩,柵極多晶硅(POI'Y)刻蝕幕罩,先進(jìn)制程N(yùn)MOS應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT)幕罩等。不同的應(yīng)用,就有不同的去除方法,主要考慮臨近膜層的刻蝕選擇比。

   氮化硅磷酸濕法刻蝕

   氮化硅濕法去除的普遍方法是熱磷酸溶液。85%的濃磷酸混人少量水,溫度控制在150~170℃,對(duì)爐管氮化硅的刻蝕率大約50A/min;而對(duì)CVD氮化硅會(huì)更高,如果制程有回火步驟,則刻蝕率會(huì)受很大影響,應(yīng)依據(jù)不同的條件測定實(shí)際的結(jié)果。為了提高對(duì)氧化硅的選擇比,放人氮的硅晶片,溶入一定的硅,或使用120~150℃的低溫磷酸;反應(yīng)的主體是氮化硅和水,磷酸在此反應(yīng)中僅作為催化劑,氮化硅在干刻蝕中作為硬式幕罩,一旦刻蝕完成,就要去除這層幕罩�？涛g時(shí)間的制定是根據(jù)刻蝕率,先計(jì)算一個(gè)理論值,又囚為氮化硅膜層沉積受生長方式和器件結(jié)構(gòu)的影響,不同晶片或同一晶片不同部位都會(huì)有厚薄不均現(xiàn)象,為了徹底清除,以免殘留影響后續(xù)制程,一般會(huì)再加人過刻蝕時(shí)間,兩方面的時(shí)間和才是氮化硅去除時(shí)間。過刻蝕時(shí)間的確定需要設(shè)計(jì)幾個(gè)時(shí)間遞增的實(shí)驗(yàn)點(diǎn),包括氮化硅少量殘留、沒有殘留、過刻蝕,最終取“過刻蝕”的時(shí)間作為制程時(shí)間,有時(shí)殘留物確認(rèn)還需要光學(xué)顯微鏡(OM)和掃描電鏡(SEM)的幫助。