晶片表面顆粒去除方法

   顆粒從制程外的空氣或制程中(如膜層沉積、藥液清洗等)至刂達品片表面,一般有TDA7719TR兩種接觸:物理吸附和化學(xué)粘結(jié)。物理吸附包括范德華力吸附、靜電荷吸附和毛細吸附,當(dāng)一個顆粒接近一個同體表面,顆粒就以范德華力形式被吸附在晶片表面,在捕獲各種類型的同態(tài)顆�；驓怏w分子方面,靜電荷吸附、毛細吸附等大多數(shù)情況下都不如范德華力強大,范德華力吸附的顆�？梢杂靡韵氯N方法去除:①化學(xué)去除(顆粒溶解,顆粒氧化和溶解,輕微刻蝕),見圖9.2;②顆粒與表面間的靜電排斥去除;③物理{機械)去除(剪切力的應(yīng)用,使顆粒轉(zhuǎn)動和滑動)l�；瘜W(xué)粘結(jié)導(dǎo)致的吸附比范德華力還強,不能用這里描述的方法有效去除。