單片旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機(jī)(single spray tool)有代表性的廠商是I'AM公司的型號(hào)DV系列、AMAT公司的SEMIT()OI'、DNΨ型號(hào)SU系列等,如圖9.⒛所示。它們配置2~12個(gè)獨(dú)立的處理室,可同時(shí)處理多達(dá)12片晶片,完成多個(gè)不同化學(xué)清洗制程。 W171DIP-7

   在單片清洗機(jī)上,每個(gè)處理室是獨(dú)立的操作單元,對(duì)于要求高的出貨量,可選用8個(gè)或更多處理室,使用同一個(gè)程式;而對(duì)于研究開(kāi)發(fā)(R⒏D),則使用不同處理室、不同化學(xué)品、不同程式,如圖9.21所示。晶片一般正面朝上,放在有多個(gè)緊固銷且中間通N2的旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上,

當(dāng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)處于最低層位置1,啟動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng),化學(xué)噴頭移到品片L方,擺動(dòng)噴灑藥液,甩出的藥 液,流到收集槽1,有泵帶動(dòng)循環(huán)使用,噴完之后,化學(xué)噴頭移走;平臺(tái)上升到最高層位置3,去離子水噴頭移到晶片上方,移動(dòng)噴灑去離子水,同時(shí)轉(zhuǎn)速提升,去離子水和藥液的混合液

被甩到相應(yīng)排出管,沖洗完之后,去離子水噴頭移走(有時(shí)需要第二步化學(xué)品處理,旋轉(zhuǎn)平臺(tái)下降到中間層位置2,其他步驟如同第一個(gè)化學(xué)品);轉(zhuǎn)速進(jìn)一步提升,N2管頭移到晶片上方,噴出高速N2,由晶片中心向邊緣掃描,反復(fù)幾次,晶片表面就會(huì)變干。這種化學(xué)清洗

優(yōu)點(diǎn)是制程時(shí)間短,節(jié)約藥品和純水,耗費(fèi)低;單片清洗,交叉污染少;顆粒回粘幾率小,去除干刻蝕后的殘?jiān)Ч谩，F(xiàn)在普遍應(yīng)用在制程的后段,但32nm以后的制程,單片清洗也逐漸走向前段。不難發(fā)現(xiàn),這種單片清洗的處理室是開(kāi)放式,在藥液處理完之后,用去離子

水噴洗,N2干燥。

   還有一種單片清洗方法,處理室是封閉式,如圖9.22所示,在藥液處理完之后,是去離子水噴洗,干燥用N2或N2攜帶IPA蒸汽吹干,它的特點(diǎn):可制造無(wú)氧環(huán)境,在處理過(guò)程中,防止金屬(如Cu)暴露于空氣而被氧化;IPA的干燥更徹底。