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最大耗散功率PSM

發(fā)布時(shí)間:2017/11/8 12:06:27 訪問次數(shù):861

   它是漏電流的變化量和引起這個(gè)變化量的柵源電壓變化量之比,是反映場(chǎng)效應(yīng)晶體管的放大能力的重要參數(shù)。

   最大耗散功率PSMA4988SETTR-T

   是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。場(chǎng)效

應(yīng)管實(shí)際功率應(yīng)小于最大耗散功率并留有一定余量。

   最大漏源電流ISM

   是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過最大漏源電流。

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)

   (1)判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的管腳

   用萬用表的R×lk擋,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚(gè)管腳間的正、反

向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,則這兩個(gè)管腳為漏極和源極,余下的一個(gè)管腳即為柵極。

   (2)區(qū)分N型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管

   用萬用表的RXlk擋,將黑表筆接?xùn)艠O,紅表筆分別接另外兩管

腳,如果測(cè)得兩個(gè)電阻值均很大,則為N型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果測(cè)得兩個(gè)電阻值均很小,則為P型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

   它是漏電流的變化量和引起這個(gè)變化量的柵源電壓變化量之比,是反映場(chǎng)效應(yīng)晶體管的放大能力的重要參數(shù)。

   最大耗散功率PSMA4988SETTR-T

   是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。場(chǎng)效

應(yīng)管實(shí)際功率應(yīng)小于最大耗散功率并留有一定余量。

   最大漏源電流ISM

   是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過最大漏源電流。

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)

   (1)判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的管腳

   用萬用表的R×lk擋,用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚(gè)管腳間的正、反

向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,則這兩個(gè)管腳為漏極和源極,余下的一個(gè)管腳即為柵極。

   (2)區(qū)分N型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管

   用萬用表的RXlk擋,將黑表筆接?xùn)艠O,紅表筆分別接另外兩管

腳,如果測(cè)得兩個(gè)電阻值均很大,則為N型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果測(cè)得兩個(gè)電阻值均很小,則為P型溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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