晶體管的輸入阻抗大致為幾十kQ，而FET的輸入阻抗則為幾

Mfl以上。 A4982SLPTR-T因此，F(xiàn)ET具有輸入阻抗非常高的特征，用于需要高輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器或電容式話筒等輸入部分的放大電路中。由于柵壓的作用，F(xiàn)ET還具有導(dǎo)通狀態(tài)或截止?fàn)顟B(tài)的開關(guān)作用，因此用于計(jì)算機(jī)的邏輯電路中。

   場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)

   (1)飽和漏電流IDSS

   當(dāng)柵源間電壓為零時(shí)，漏極電流的飽和值稱為飽和漏電流。

   (2)柵源截止電壓UGS

   使漏電流接近于零時(shí)，此時(shí)柵極上所加的偏壓就稱為柵源截止電壓，此參數(shù)是對(duì)耗盡型而言。

   (3)夾斷電壓UP

   在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管或耗盡型絕緣柵管中，當(dāng)柵源間反向偏壓足夠大時(shí)，溝道兩邊的耗盡層充分?jǐn)U展，從而夾斷溝道，此時(shí)的柵源電壓稱為夾斷電壓。

   (4)開啟電壓U．，

   在增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏、源極間剛剛導(dǎo)通的最小電壓稱為開啟電壓。