全反射X熒光光譜(TXRF)常用來檢測晶片表面金屬組分濃度。由來自燈絲的電子,OB3396轟擊鎢或鉬陽極,產(chǎn)牛單色準直X光束,照射到晶片表面,人射角小于臨界角(臨界角為1.3mrad),即可產(chǎn)生令反射,X光的穿透深度只有幾個nm(傳統(tǒng)的XRF約為10nm),對晶片表面的元素很敏感,它可以激發(fā)樣品原子產(chǎn)牛熒光,這些二次X射線(熒光)可被硅(鋰)能量色散檢測器偵測。而二次X射線對每種元素是特定的,因此各種元素可同時得到檢測。采用一個鎳的校正晶片的強度測定,并有一個相對敏感因子的數(shù)據(jù)庫,基于每個峰的X射線強度,便可定量計算元素的濃度。

   四探針厚度測量

   四探針是一個測童薄膜或擴散層片電阻的簡單裝置。以Ω/方塊為單位測量。四探針使用令電阻測量技術:兩對分離的電流和電壓電極被用到如圖9,27所示的測量中,恒定電流流過樣品上探針1和4間的長度,假若樣品有電阻,那么當電流流過樣品時,就會有一個電勢降落,如圖中探針2和3之間的電勢降。探針2和3問的電壓可用

伏特計測量,探針2和3閘的電阻就是伏特計上電壓讀數(shù)除以電流的比值。