全反射X熒光光譜(TXRF)常用來(lái)檢測(cè)晶片表面金屬組分濃度。由來(lái)自燈絲的電子,OB3396轟擊鎢或鉬陽(yáng)極,產(chǎn)牛單色準(zhǔn)直X光束,照射到晶片表面,人射角小于臨界角(臨界角為1.3mrad),即可產(chǎn)生令反射,X光的穿透深度只有幾個(gè)nm(傳統(tǒng)的XRF約為10nm),對(duì)晶片表面的元素很敏感,它可以激發(fā)樣品原子產(chǎn)牛熒光,這些二次X射線(xiàn)(熒光)可被硅(鋰)能量色散檢測(cè)器偵測(cè)。而二次X射線(xiàn)對(duì)每種元素是特定的,因此各種元素可同時(shí)得到檢測(cè)。采用一個(gè)鎳的校正晶片的強(qiáng)度測(cè)定,并有一個(gè)相對(duì)敏感因子的數(shù)據(jù)庫(kù),基于每個(gè)峰的X射線(xiàn)強(qiáng)度,便可定量計(jì)算元素的濃度。

   四探針厚度測(cè)量

   四探針是一個(gè)測(cè)童薄膜或擴(kuò)散層片電阻的簡(jiǎn)單裝置。以Ω/方塊為單位測(cè)量。四探針使用令電阻測(cè)量技術(shù):兩對(duì)分離的電流和電壓電極被用到如圖9,27所示的測(cè)量中,恒定電流流過(guò)樣品上探針1和4間的長(zhǎng)度,假若樣品有電阻,那么當(dāng)電流流過(guò)樣品時(shí),就會(huì)有一個(gè)電勢(shì)降落,如圖中探針2和3之間的電勢(shì)降。探針2和3問(wèn)的電壓可用

伏特計(jì)測(cè)量,探針2和3閘的電阻就是伏特計(jì)上電壓讀數(shù)除以電流的比值。