除了與人射能量有關(guān)外,還與二次電子束與試樣表面法向夾角有關(guān),三者之間滿足以下關(guān)系。可見,T05-007D人射電子束與試樣夾角越大,二次電子產(chǎn)額也越大。這是因為隨角的增加人射電子束在樣品表層范圍內(nèi)運動的總軌跡增長,引起價電子電離的機會增多,產(chǎn)生二次電子數(shù)量就增加;其次是隨著汐角增大,入射電子束作用體積更靠近表面層,作用體積內(nèi)產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機會增多,從而二次電子的產(chǎn)額增大。二次電子像襯度:電子像的明暗程度取決于電子束的強弱,當(dāng)兩個區(qū)域中的電子強度不同時將出現(xiàn)圖像的明暗差異,這種差異就是襯度影響二次電子像襯度的因素較多,主要有表面凹凸引起的形貌襯度(質(zhì)量襯度).樣品表面電位差引起的電壓襯度(VC),原子序數(shù)/不同材料差別引起的成分襯度。通常.二次電子對原子序數(shù)的變化不敏感。