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樣品表面電位差引起的電壓襯度

發(fā)布時(shí)間:2017/11/15 20:50:52 訪問次數(shù):922

   除了與人射能量有關(guān)外,還與二次電子束與試樣表面法向夾角有關(guān),三者之間滿足以下關(guān)系。可見,T05-007D人射電子束與試樣夾角越大,二次電子產(chǎn)額也越大。這是因?yàn)殡S角的增加人射電子束在樣品表層范圍內(nèi)運(yùn)動(dòng)的總軌跡增長(zhǎng),引起價(jià)電子電離的機(jī)會(huì)增多,產(chǎn)生二次電子數(shù)量就增加;其次是隨著汐角增大,入射電子束作用體積更靠近表面層,作用體積內(nèi)產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機(jī)會(huì)增多,從而二次電子的產(chǎn)額增大。二次電子像襯度:電子像的明暗程度取決于電子束的強(qiáng)弱,當(dāng)兩個(gè)區(qū)域中的電子強(qiáng)度不同時(shí)將出現(xiàn)圖像的明暗差異,這種差異就是襯度影響二次電子像襯度的因素較多,主要有表面凹凸引起的形貌襯度(質(zhì)量襯度).樣品表面電位差引起的電壓襯度(VC),原子序數(shù)/不同材料差別引起的成分襯度。通常.二次電子對(duì)原子序數(shù)的變化不敏感。

   除了與人射能量有關(guān)外,還與二次電子束與試樣表面法向夾角有關(guān),三者之間滿足以下關(guān)系?梢,T05-007D人射電子束與試樣夾角越大,二次電子產(chǎn)額也越大。這是因?yàn)殡S角的增加人射電子束在樣品表層范圍內(nèi)運(yùn)動(dòng)的總軌跡增長(zhǎng),引起價(jià)電子電離的機(jī)會(huì)增多,產(chǎn)生二次電子數(shù)量就增加;其次是隨著汐角增大,入射電子束作用體積更靠近表面層,作用體積內(nèi)產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機(jī)會(huì)增多,從而二次電子的產(chǎn)額增大。二次電子像襯度:電子像的明暗程度取決于電子束的強(qiáng)弱,當(dāng)兩個(gè)區(qū)域中的電子強(qiáng)度不同時(shí)將出現(xiàn)圖像的明暗差異,這種差異就是襯度影響二次電子像襯度的因素較多,主要有表面凹凸引起的形貌襯度(質(zhì)量襯度).樣品表面電位差引起的電壓襯度(VC),原子序數(shù)/不同材料差別引起的成分襯度。通常.二次電子對(duì)原子序數(shù)的變化不敏感。

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11-15樣品表面電位差引起的電壓襯度
相關(guān)IC型號(hào)
T05-007D
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