在器件外部實施了相應(yīng)的非破壞性分析后,便可以進行半破壞性分析。主要包括: SI9979DS

   (1)開封:電子器件兩類常用的開封方法是機械方法和化學方法。半破壞分析常用化學方法中的自動(Jet Etch;塑封器件噴射腐蝕開封)開封,一般用于環(huán)氧樹脂密封的器件。即對器件進行部分開封,暴露芯片表面或背面,但保留芯片、管腳和內(nèi)引線和壓焊點的完整性及電學性能完整,為后續(xù)失效定位做準備。lJxl此,也常被歸在失效定位的范疇內(nèi)。此步驟的關(guān)鍵是保持器件的電學特性開封前后的一致性。

   (2)內(nèi)部檢查:立體顯微鏡;低、高倍顯微鏡和掃捕電鏡觀測。

   (3)復測電特性,驗證失效情況。

   (4)真空烘焙(叮選):當故障可能是由離子污染或遲緩狀態(tài)/束縛電荷泄漏路徑如反型層及由使芯片上的電荷分散引起時,對半導體器件進行高溫烘焙呵以“治愈”或逆轉(zhuǎn)變壞的電氣特性,這表明器件失效是由于制造缺陷所引起。而在低溫真空干燥后,器件如果復原,則報告的失效則可能是由于外表面曾吸附或聚集了潮氣。Jet Etch后的塑封器件(在封裝上打一個孔)進行低溫烘焙能除去封裝內(nèi)部的潮氣和揮發(fā)性氣體。隨后的電性復原,說明內(nèi)部存在潮氣或揮發(fā)性污染物。105mmHg,150~250℃條件下烘焙兩小時,測量并記錄由烘焙所引起漏電流的任何變化(optional)。再進行電學檢驗復測。

要注意的是:步驟5和步驟6(非破壞忤分析和半破壞性分析),理想狀況下不會引起被分析器件電學特性變化,但是隨著器件功能的復雜化、物理尺寸的精細化、器件封裝技術(shù)的發(fā)展(chip scale package)和應(yīng)用要求、X射線探測,嚴格意義~I二,不是絕對無損分析,由于它產(chǎn)生的高能童粒子,很可能使樣品損傷,或者不適用再做試驗。對某些敏感器件,如內(nèi)存,可能l9xl輻射損傷引起細微的參數(shù)漂移或引起產(chǎn)品功能退化、甚至失效。開封可能引起的器件連接性(continui1y)失效,Bond Pad腐蝕等,常常有類似報道。lJxl此,引人電學性能檢驗/復測是必要的。