GsT CMP的挑戰(zhàn)
發(fā)布時間:2017/11/11 18:47:10 訪問次數(shù):502
GST是一種合金材料,Ge(鍺)、Sb(銻)和Te(碲)分別屬于第四族、第五族和第六族元素,其得失電子的能力各不相同,表現(xiàn)為在氧化劑中的被氧化程度各不相同,Ge(鍺)和Sb(銻)較容易被氧化而形成相應的氧化物,Te(碲)較難被氧化形成氧化物,在研磨中的副產(chǎn)品仍為金屬態(tài)。TB62726AFG
GST CMP的挑戰(zhàn)主要有以下幾個方面:
(1)研磨殘留:Tc(碲)較難被氧化形成氧化物,在研磨中的副產(chǎn)物仍為金屬態(tài),它會重新粘回到GST表面形成殘留,導致短路而失效。
(2)介電層損失:盡管GST CMP的研磨漿料本身對介電層的研磨速率很低((100A/min),但在研磨產(chǎn)牛的副產(chǎn)物(Ge、sb、Te的氧化物)出會成為研磨粒子,對介電層有一定的研磨速度,從而導致介電層損失。
研磨液的研制是現(xiàn)階段GsT CMP技術開發(fā)的重要方面之一。研磨液的生產(chǎn)廠家試圖在研磨液中加入一些成分,加速Te(碲)的被氧化速率或是減慢Ge(鍺)和Sb(銻)的被氧化速率,從而解決研磨殘留的問題:
GST是一種合金材料,Ge(鍺)、Sb(銻)和Te(碲)分別屬于第四族、第五族和第六族元素,其得失電子的能力各不相同,表現(xiàn)為在氧化劑中的被氧化程度各不相同,Ge(鍺)和Sb(銻)較容易被氧化而形成相應的氧化物,Te(碲)較難被氧化形成氧化物,在研磨中的副產(chǎn)品仍為金屬態(tài)。TB62726AFG
GST CMP的挑戰(zhàn)主要有以下幾個方面:
(1)研磨殘留:Tc(碲)較難被氧化形成氧化物,在研磨中的副產(chǎn)物仍為金屬態(tài),它會重新粘回到GST表面形成殘留,導致短路而失效。
(2)介電層損失:盡管GST CMP的研磨漿料本身對介電層的研磨速率很低((100A/min),但在研磨產(chǎn)牛的副產(chǎn)物(Ge、sb、Te的氧化物)出會成為研磨粒子,對介電層有一定的研磨速度,從而導致介電層損失。
研磨液的研制是現(xiàn)階段GsT CMP技術開發(fā)的重要方面之一。研磨液的生產(chǎn)廠家試圖在研磨液中加入一些成分,加速Te(碲)的被氧化速率或是減慢Ge(鍺)和Sb(銻)的被氧化速率,從而解決研磨殘留的問題:
上一篇:GsT CMP的應用
上一篇:器件參數(shù)和工藝相關性
熱門點擊
- 普通晶閘管是由四層半導體材料組成的
- HDP-CVD工藝重要參數(shù)-沉積刻蝕比
- FA報告
- 在PNL的基礎上叉有兩個改進工藝LRW(lo
- 影響對焦深度的因素主要有幾點
- 增大晶圓的尺寸
- 第一級采用差分放大電路
- 鎢接觸孔刻蝕
- 硅凹槽刻蝕
- MEEF計算是針對缺陷列表而不是全芯片的設計
推薦技術資料
- 硬盤式MP3播放器終級改
- 一次偶然的機會我結識了NE0 2511,那是一個遠方的... [詳細]