GsT(Ge2Sb2Te,)是一種硫系化合物相變薄膜材料,用于 QMI509 (相變存儲器)中的存儲介質(zhì)。PCRAM則是以硫系化合物為存儲介質(zhì),利用電能(熱量)使相變薄膜材料在晶態(tài)(低阻)和非晶態(tài)(高阻)之間相互轉(zhuǎn)換實現(xiàn)信息的寫入和擦除,信息的讀出是通過測量電阻的變化實現(xiàn)的。QMI509

   GsT相變薄膜材料的圖案化有刻蝕和化學(xué)機械研磨兩種方式,兩種方式對應(yīng)有不同的制程步驟。刻蝕的方法是先用物理或化學(xué)沉積的方法沉積GST層,再經(jīng)過光刻和刻蝕形成圖案,該方法在尺寸較大的IC制程中(90nm以上)廣泛應(yīng)用�；瘜W(xué)機械研磨的方法是近期

受到極大關(guān)注的方法,先是形成尺寸較小的鎢互連,化學(xué)沉積介電層(⒊O2),通過光刻和刻蝕形成孔洞,再用物理或化學(xué)沉積的方法沉積GST層,通過化學(xué)機械研磨來去除孔洞外面的GST,從而形成GST和鎢的互連。該方法有很好的自對準(zhǔn)性,適合較小尺寸的IC制程(90nm以下)。