如圖13.6所示,在建立R10934EC了問題圖形的圖形庫之后,一個輸人的設計能被圖形搜索方法迅速地進行篩查,而不是全芯片模擬,這個工作甚至可以在OPC前開始做。圖13.7給出這個迅速篩查的方法的工作流程。這個流程的優(yōu)勢在于:能夠OPC前探查OPC不相容邊沿圖形,避免了冗長而且耗時的OPC和OPC驗證。采用這種流程的條件是圖形庫中存有問題圖形的模板。

   大體說來,OPC改善了設計圖形從設計到晶圓片上的轉移工藝(光   刻)的MEEF/NILS,也就是它的印Wll適性。然而,在最近的后OPC熱點圖形的MEEF分析中,我們發(fā)現(xiàn)圖13.7 對于屬于設計圖形采用圖形搜索方法進行篩杳的DFM流程并不總是這種情況。下面我們用兩個來白于不同層的例子來解釋這種例外。

   對一個65nm△藝節(jié)點的邏輯器件(M1層和多晶硅層)進行后OIDC驗證得到的高MEEF的熱點圖形被用于進行熱點結構設計,而且為了驗證MEEF的變化,不同CD下類似的OPC不相容邊沿結構也被產(chǎn)生出來。為了確保用于生產(chǎn)的OPC自勺質(zhì)量,生產(chǎn)配方被用在經(jīng)過OPC處理過的那些測試圖形上。