利用多種不同的技術(shù),在每個芯片的幾十萬到幾千萬個甚至上億個元件中,縮小導(dǎo)致失效的范圍。 SL1612C在深亞微米領(lǐng)域集成電路進行失效分析,找到失效部位并進行該部位的失效機理分析是整個失效分析中最關(guān)鍵的步驟之一。失效定位技術(shù)包括電測技術(shù)、無損失效分析技術(shù)、信號尋跡技術(shù)、二次效應(yīng)技術(shù)、樣品制備技術(shù),通常,這些技術(shù)叉分為芯片級定位技術(shù)(global technique)和探針技術(shù)。芯片級定位技術(shù)試圖確認失效引起的二次效應(yīng)。分析實驗室常用熱探測技術(shù)探測失效,檢測短路或漏電部位引起的發(fā)熱點;光反射顯微鏡檢測芯片上失效部位因電子一空穴復(fù)合產(chǎn)生的發(fā)光點。

   物理分析/化學(xué)分析

   通過樣品制備,如Cleave、研磨、干濕法剝層(delayering)、聚焦粒子束(ΠB)等,利用一系列光子束(高倍顯微鏡)、電子束(掃描電子顯微鏡,透射電鏡)、化學(xué)元素成分分析(EDX)和表面分析(Auger、XPS、⒊Ms等)設(shè)備觀察失效部位的形狀、大小、位置、顏色、機械和物理結(jié)構(gòu)、特性、成分及分布等,科學(xué)地表征和闡明與上述失效模式有關(guān)的各種失效現(xiàn)象。