PEM方法快速、簡便而PIC18F258-I/SP有效,具有準(zhǔn)確、直觀和重復(fù)再現(xiàn)的優(yōu)點。正面PEM分析,除F暴露芯片表面外.無須特別樣品制備。在合理的偏置條件下,對樣品沒有破壞性,不需真空環(huán)境,可以方便地施加各種靜態(tài)或動態(tài)的電應(yīng)力等。但隨著芯片正面多層金屬布線結(jié)構(gòu)對電致光輻射的吸收和反射,正面PEM定位的成功率急劇下降,如埋層PN結(jié)、漏電失效點位于大塊金屬下方等。在深亞微米技術(shù)時代,絕大多數(shù)產(chǎn)品級的PEM定位需要背面分析.

   使樣品制備,即暴露芯片背面但保持樣品電學(xué)性能完整性成為不可或缺的一個環(huán)節(jié),PEM定位不冉快速、簡便。倒置封裝器件,背面PEM定位成為唯一的選擇。此外,PEM分析時。被測器件或失效線路常需處于失效狀態(tài)時的激勵狀態(tài),對復(fù)雜的產(chǎn)品級失效,分析實驗室探針測試較難完舍模擬器件失效狀態(tài)。此外,歐姆特性短路、金屬互連短路、表面反型層和擴(kuò)散電阻等缺陷產(chǎn)生的光輻射波長不在。T見光波范疇或信號太弱。最后,PEM探測的發(fā)光點并不一定是真正的失效點,而是一些結(jié)構(gòu)由于所加偏置條件或設(shè)計等引起。此外,器件的功能異常使芯片內(nèi)部某些節(jié)點處于特定的導(dǎo)致發(fā)光狀態(tài),在此情況下,發(fā)光點同失效點不一定重合,對后續(xù)破壞性物理分析的成功增加F很大的挑戰(zhàn)性c分析時不僅要觀察發(fā)光點處有無異常,還要有針對性地了解與亮點相關(guān)的內(nèi)部線路,比如前級線路輸出異常,導(dǎo)致后級線路的輸人電平異常,使晶體管處于飽和狀態(tài)而產(chǎn)忄i亮點。有鑒于此,在相同偏置條件下,好壞樣品發(fā)光點比對,是光輻射顯微技術(shù)定位的一個判斷有效亮點的原則之一,常比無效亮點產(chǎn)生情況(即盯tifac1s)有:飽和狀態(tài)下的雙極型晶體管(satuⅢl【l hlDc,lar tran“s1()rs).模擬電路中飽和狀態(tài)下的金屬場效應(yīng)品體管(M()SFETs Saturatcd anaIog M()s「ETs),工極管處于正向?qū)顟B(tài)(Forward biased diodcs)。