電子像的明暗程度取決于電子束的強弱
發(fā)布時間:2017/11/15 20:49:08 訪問次數(shù):1373
除了與人射能量有關外, T048-2DCR還與二次電子束與試樣表面法向夾角有關,三者之間滿足以下關系?梢,人射電子束與試樣夾角越大,二次電子產(chǎn)額也越大。這是因為隨汐角的增加人射電子束在樣品表層范圍內(nèi)運動的總軌跡增長,引起價電子電離的機會增多,
產(chǎn)生二次電子數(shù)量就增加;其次是隨著汐角增大,入射電子束作用體積更靠近表面層,作用體積內(nèi)產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機會增多,從而二次電子的產(chǎn)額增大。
二次電子像襯度:電子像的明暗程度取決于電子束的強弱,當兩個區(qū)域中的電子強度不同時將出現(xiàn)圖像的明暗差異,這種差異就是襯度c影響二次電子像襯度的因素較多,主要有表面凹凸引起的形貌襯度(質(zhì)量襯度).樣品表面電位差引起的電壓襯度(VC),原子序數(shù)/不同材料差別引起的成分襯度。通常.二次電子對原子序數(shù)的變化不敏感。
背散射電子:被固體樣品原子反彈回來的一部分人射電子,它來自樣品表層幾百納米的深度范圍,其能量大大高于二次電子能量,所以背散射電子圖像的空間分辨率比二次電子信號差。背散射電子包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子,彈性背散射電子是指被樣品中原子核反彈回來的,散射角大于90°的那些入射電子,其能量基本上沒有變化(能量為數(shù)千到數(shù)萬電子伏),彈性背散射電子能量近似于入射電子能量;非彈性背散射電子是人射電子和核外電子撞產(chǎn)生的,不僅能量變化,而且方向也發(fā)生變化,非彈性背散射電
子的能量范圍很寬,從數(shù)十電子伏到數(shù)千電子伏。從數(shù)量上看,彈性背散射電子遠比非彈性背散射電子所占的份額多。對平整的樣品表面,背散射電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的增加麗增加,不僅能用作形貌分析,也可用來顯示原子序數(shù)襯度。人射電子束與固體樣品作用產(chǎn)生物理信號的能量和數(shù)目如圖14.24所示。
除了與人射能量有關外, T048-2DCR還與二次電子束與試樣表面法向夾角有關,三者之間滿足以下關系?梢,人射電子束與試樣夾角越大,二次電子產(chǎn)額也越大。這是因為隨汐角的增加人射電子束在樣品表層范圍內(nèi)運動的總軌跡增長,引起價電子電離的機會增多,
產(chǎn)生二次電子數(shù)量就增加;其次是隨著汐角增大,入射電子束作用體積更靠近表面層,作用體積內(nèi)產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機會增多,從而二次電子的產(chǎn)額增大。
二次電子像襯度:電子像的明暗程度取決于電子束的強弱,當兩個區(qū)域中的電子強度不同時將出現(xiàn)圖像的明暗差異,這種差異就是襯度c影響二次電子像襯度的因素較多,主要有表面凹凸引起的形貌襯度(質(zhì)量襯度).樣品表面電位差引起的電壓襯度(VC),原子序數(shù)/不同材料差別引起的成分襯度。通常.二次電子對原子序數(shù)的變化不敏感。
背散射電子:被固體樣品原子反彈回來的一部分人射電子,它來自樣品表層幾百納米的深度范圍,其能量大大高于二次電子能量,所以背散射電子圖像的空間分辨率比二次電子信號差。背散射電子包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子,彈性背散射電子是指被樣品中原子核反彈回來的,散射角大于90°的那些入射電子,其能量基本上沒有變化(能量為數(shù)千到數(shù)萬電子伏),彈性背散射電子能量近似于入射電子能量;非彈性背散射電子是人射電子和核外電子撞產(chǎn)生的,不僅能量變化,而且方向也發(fā)生變化,非彈性背散射電
子的能量范圍很寬,從數(shù)十電子伏到數(shù)千電子伏。從數(shù)量上看,彈性背散射電子遠比非彈性背散射電子所占的份額多。對平整的樣品表面,背散射電子產(chǎn)額隨原子序數(shù)的增加麗增加,不僅能用作形貌分析,也可用來顯示原子序數(shù)襯度。人射電子束與固體樣品作用產(chǎn)生物理信號的能量和數(shù)目如圖14.24所示。