(l)基本情況:SMI(13um數(shù)�；旌现瞥�,靜電放電(elect∞static discha喟e EsD)的防護(hù)能力不穩(wěn)定。人體放電模式(hun1an body m。del HBM)在⒛00V失效(規(guī)范:>2O0oV)。該產(chǎn)品所用的I/O和IP.均由客戶自行設(shè)計(jì):SI4410BDY-T1-E3

   (2)封裝類型:LQFP176

   (3)失效模式:I/O-TO-I/O的靜電放電測(cè)試后.Pin89相對(duì)肛V漂移大于規(guī)范。

   (4)失效機(jī)理:Pin9o EsI)保護(hù)電路附近,因靜電放電效應(yīng)導(dǎo)致的I'VM()s漏極到柵極擊穿。

   (5)失效原因:失效I'VM()s線路是該芯片ESD設(shè)計(jì)薄弱處,測(cè)試時(shí)有大電壓或大電流通過(guò).引起本征擊穿。

  (6)失效分析手法:①非破壞性分析:測(cè)試結(jié)果/失效驗(yàn)證,好壞樣品rV曲線對(duì)比.