近年來人們對NBTI做了大量的研究,并提出幾種模型來解釋觀察到的現(xiàn)象。普遍接U2008B-MY受的模型是RD模型(reaction diffusion model)。該模型認(rèn)為,加在柵極的負(fù)偏壓在Si/Si()2界面L引起了場強(qiáng)相關(guān)的反應(yīng),鈍化S卜H鍵被打斷,留下F帶正電的界面態(tài)(si),H 被釋放到柵氧化層中,形成H?并向多晶硅層擴(kuò)散,在氧化層形成了氧化層陷阱(見圖15,7)。

   這些界面態(tài)與陷阱導(dǎo)致半導(dǎo)體器件參數(shù)的改變。

   柵極電壓應(yīng)力→Si―H被打斷(界面陷阱)→H原子擴(kuò)散和反應(yīng)→形成H?→H擴(kuò)散到氧化層里(形成氧化層陷阱)。