針對NBTI退化機制,下面列U2010B-MFPG3舉了相關制程對NBTI的影響:

   (1)氫是硅氫鍵的主要成鍵物質并在NBTI中起主要作用,氘是氫的同位素,與硅結合形成⒏-D鍵,結合更強烈。具有更好的抗NBTI能力,在氮氫混合氣體退火中采用D2而不是H2退火。

   (2)柵氧中的水增強了NBTI效應,濕氧中的NBTI效應明顯地要大于在干氧中的NBT1效應,通過在器件有源區(qū)覆蓋sN薄膜可以抑制水擴散進柵氧。

   (3)柵氧化層氮化I藝的優(yōu)化以平衡NBTI效應和硼穿通現(xiàn)象。

   (4)氟對于M(E器件有很多有益效應,已知的有提高熱載流子免疫力,氧化層完整性 和NBTI效應。

   (5)硼會增強NBTI效應,硼在ⅣD退火時穿進柵氧化層中。

   (6)氧化層的損傷會增強NBTI效應。

   (7)NBTI的好壞與柵極材料沒有關聯(lián)性。

   (8)柵的預清洗動作對NBTI的效應有潛在影響。

   (9)NBTI對于硅晶格方位有很強的敏感性。

  (10)高溫和氧化層電場會加強NBTI效應。

   (11)機械應力如去除保護層或者靠近STI處對器件的NBTI敏感性有影響。

   (12)后段金屬工藝對于NBTI也有很大影響,如水汽,PID等引起的器件退化。