從20世紀(jì)90年代以來(lái),集成電路技術(shù)得到了快速發(fā)展。集成電路的特征尺寸不斷縮小, U05G4B48-TE12L集成度和性能不斷提高。為了減小成本.提高性能,集成電路技術(shù)中引人大量新材料、新丁藝和新的器件結(jié)構(gòu)。這JLL發(fā)展給集成電路可靠性保證和提高帶來(lái)FF・大挑戰(zhàn)。隨著集成電路特征尺寸的縮小,⒈藝中使用的一些關(guān)鍵材料已接近物理極限。其失效模型發(fā)生了改變,這對(duì)測(cè)試方法以及壽命評(píng)估都帶來(lái)了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。同時(shí).一部分失效機(jī)理的可靠性問(wèn)題變得非常嚴(yán)重。例如,NBTI報(bào)道于1966年。對(duì)較大尺寸的半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō),其對(duì)性能影響并不大。然而,隨著器件尺寸的減小,加在柵極氧化層上的電場(chǎng)越來(lái)越高,器件的T作溫度也相應(yīng)提高,器件對(duì)I作閾值電壓越來(lái)越敏感,NJΓI已成為影響集成電路可靠性的關(guān)鍵問(wèn)題。

   新材料和新T藝的引人導(dǎo)致了一些新的可靠性問(wèn)題。例如,為了減小金屬互連對(duì)器件速度的延遲,低慮介質(zhì)和超低乃介質(zhì)被引入到金屬互連制程巾。由于其機(jī)械、電學(xué)和熱學(xué)性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的二氧化硅材料,其Vbd和TDDB壽命以及由低慮材料和高密度倒品封裝

引起的新的失效機(jī)理CPl(Chip Package Intcrac1ion)已成集成電路。r靠性的制約岡素。集成電路尺寸的縮小和集成度的提高對(duì)百T靠性的測(cè)試帶來(lái)了挑戰(zhàn)。集成電路尺寸縮小導(dǎo)致對(duì)EsD變得更加敏感。封裝測(cè)試中的E⒏)問(wèn)題會(huì)嚴(yán)重影響可靠性評(píng)估成功率和準(zhǔn)確性。集成度的提高也使一些常規(guī)可靠性評(píng)估囚時(shí)閘變長(zhǎng)變得非常困難。如4G「lash記憶體的傳統(tǒng)100K耐久性測(cè)試會(huì)超過(guò)2千小時(shí),嚴(yán)重影響新制程可靠性評(píng)估的及時(shí)完成。