依照可靠性的浴缸曲線,芯片在OB2202CPA使用早期會(huì)有較高的失效比率,即早夭期。老化用來(lái)篩選出使用壽命短的芯片,使失效率降低。老化在高溫125℃,1.2~1.4倍⒕u高電壓下進(jìn)行,依照產(chǎn)品的可靠性水平,老化的時(shí)間在數(shù)小時(shí)到數(shù)十小時(shí)。老化的操作模式有靜態(tài)老化(StaticBurn in,sBI),動(dòng)態(tài)老化(Dynamic Burl△in,DBI),老化加測(cè)試(飛st DuⅡlag Burn in,TDBI),圓片老化(Wafer1'evd Burll in,WI'B1)。其中,靜態(tài)老化只加人V汨電源和高溫,不輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)芯片。動(dòng)態(tài)老化加人V汨電源和高溫,并輸人信號(hào)驅(qū)動(dòng)丿S片做讀和寫(xiě)動(dòng)作。但不控制輸入的地址,讀出的數(shù)據(jù)并不做好壞判斷。老化加測(cè)試(TI,BI),由于老化的操作時(shí)間長(zhǎng),所以TDBI將部分長(zhǎng)時(shí)序的測(cè)試圖形轉(zhuǎn)移到老化的環(huán)節(jié)執(zhí)行.可以降低昂貴的測(cè)試機(jī)臺(tái)時(shí)間,TDBI是一種動(dòng)態(tài)老化的操作模式,1′I9BI的機(jī)臺(tái)需要加人圖形產(chǎn)生器和數(shù)據(jù)比較器,機(jī)臺(tái)岜較為復(fù)雜,昂貴,但是省下的測(cè)試機(jī)臺(tái)時(shí)間還是有較好的經(jīng)濟(jì)效益的。圓片老化(WI'BI),一般的老化操作是在封裝好的芯片L進(jìn)行,現(xiàn)在先進(jìn)的老化可以在圓片時(shí)執(zhí)行,儲(chǔ)存器在圓片時(shí)執(zhí)行老化需要有特別的可測(cè)性設(shè)計(jì),稱為老化模式(burll in Mode),啟動(dòng)儲(chǔ)存器的老化模式之后,全部的儲(chǔ)存單元都會(huì)同時(shí)被拉高電壓,圓片老化只需要在進(jìn)入老化模式的時(shí)候輸入信號(hào),基本上這是一種靜態(tài)老化操作。圓片老化是在圓片測(cè)試之前或內(nèi)建在測(cè)試程序之中。假若圓片老化產(chǎn)生的失效單元是在冗余修復(fù)范圍內(nèi),那么良率就可以提升,這是它的優(yōu)點(diǎn)之一。但是圓片老化并不能取代封裝后老化。