依照可靠性的浴缸曲線,芯片在OB2202CPA使用早期會有較高的失效比率,即早夭期。老化用來篩選出使用壽命短的芯片,使失效率降低。老化在高溫125℃,1.2~1.4倍⒕u高電壓下進行,依照產品的可靠性水平,老化的時間在數(shù)小時到數(shù)十小時。老化的操作模式有靜態(tài)老化(StaticBurn in,sBI),動態(tài)老化(Dynamic Burl△in,DBI),老化加測試(飛st DuⅡlag Burn in,TDBI),圓片老化(Wafer1'evd Burll in,WI'B1)。其中,靜態(tài)老化只加人V汨電源和高溫,不輸入信號驅動芯片。動態(tài)老化加人V汨電源和高溫,并輸人信號驅動丿S片做讀和寫動作。但不控制輸入的地址,讀出的數(shù)據并不做好壞判斷。老化加測試(TI,BI),由于老化的操作時間長,所以TDBI將部分長時序的測試圖形轉移到老化的環(huán)節(jié)執(zhí)行.可以降低昂貴的測試機臺時間,TDBI是一種動態(tài)老化的操作模式,1′I9BI的機臺需要加人圖形產生器和數(shù)據比較器,機臺岜較為復雜,昂貴,但是省下的測試機臺時間還是有較好的經濟效益的。圓片老化(WI'BI),一般的老化操作是在封裝好的芯片L進行,現(xiàn)在先進的老化可以在圓片時執(zhí)行,儲存器在圓片時執(zhí)行老化需要有特別的可測性設計,稱為老化模式(burll in Mode),啟動儲存器的老化模式之后,全部的儲存單元都會同時被拉高電壓,圓片老化只需要在進入老化模式的時候輸入信號,基本上這是一種靜態(tài)老化操作。圓片老化是在圓片測試之前或內建在測試程序之中。假若圓片老化產生的失效單元是在冗余修復范圍內,那么良率就可以提升,這是它的優(yōu)點之一。但是圓片老化并不能取代封裝后老化。