那些違反了一系列保證Il藝窗冂原則的圖肜或者包含不同圖形的一個(gè)lx域被稱作DFM熱點(diǎn)。SY88903ALKGTR如圖13.12所示,把精確的模型嵌人到能夠模擬銅互聯(lián)拓?fù)湫蚊驳挠?jì)算機(jī)程序 中,DFM工程師就能在IC沒計(jì)過程中檢測到CMP熱點(diǎn)。CMP的DFM模擬能夠產(chǎn)生有意義以及精確的熱點(diǎn)圖形,使之用于設(shè)計(jì)過程或者構(gòu)造尺寸大于1000um的設(shè)計(jì)塊r。

   圖13,12中給出了利用65nm邏輯電路工藝下的全芯片(3n1m×3mm)的CMP模擬輸出。在芯片的外圍區(qū)域,金屬層大多為芯片的IO電路。我們給出F這個(gè)區(qū)域中CMP處理后金屬厚度的熱點(diǎn)。I程師們不僅能看到熱點(diǎn),而且通過版圖編輯器的幫助,也能分析圍繞一

個(gè)或者多個(gè)熱點(diǎn)的版圖。在圖13.14的例子中,顯示了重疊的寬金屬線條,而分析表明,這正是導(dǎo)致金屬厚度問題的根本原因。然后,通過DFM的指示,設(shè)計(jì)者通過修改寬金屬線條的問題來解決這個(gè)問題,而通常的方法是拆分寬金屬線條,或者在它們上面插人一些狹槽。

   上述所說的DFM△作是T∶程性的△作,已經(jīng)和現(xiàn)今物理設(shè)計(jì)流程融為一體了。它也可以榮獨(dú)作為一個(gè)沒計(jì)流程,即D「M流程。圖13.15中給出了CMP流程,這個(gè)流程覆蓋了CMP I藝過程波動(dòng)性的分析。除了我們ll面介紹的熱點(diǎn)探測和解決流程,還提供了電學(xué)波動(dòng)性的分析,也就是利用基于SPEF的厚度模擬數(shù)據(jù),對(duì)基于電阻和電容的網(wǎng)表進(jìn)行調(diào)整。