超淺結(jié)(ultraˉshallow junction)是指對(duì)源極和漏極PN結(jié)深度的處理。R05107ANP-021為了對(duì)應(yīng)橫向制程微縮所帶來的嚴(yán)重的短通道效應(yīng),結(jié)的縱向深度也必須進(jìn)行向上調(diào)整,以減少源極和漏極問空乏區(qū)互相接觸所帶來的漏電流(su卜threshold leak),這個(gè)過程中通常伴隨摻雜濃度 的提升以彌補(bǔ)因結(jié)變淺所帶來的串聯(lián)阻值的增加。

   邏輯電路所使用的源極和漏極junction包含兩個(gè)部分,=為1'DD(Iightly DooedDrain),一為Nˉ或P(見圖12.3)。1'1)D是指在spaccr下面一個(gè)比較淺的junction,主要是用來控制通道內(nèi)的電場(chǎng)分布和強(qiáng)度以抑制熱電子效應(yīng)(hot carricr effect)。隨著制程的演進(jìn),I'DD的深度在65nm以下也已達(dá)到⒛0A左右,ml所用的濃度與N_/P相比也不遑多。