(1)基本情況:sMIC0,18um制程TQV(test qualification vehiclc),它以sRAM為載體,SGM2019-1.5YN5G用于檢測產品的質童和可靠性參數(shù)。 SGM2019-1.5YN5G

   (2)封裝類型:TsOPII-44妊環(huán)氧樹脂封裝e

   (3)發(fā)生失效場合:為驗證新封裝測試廠產品質量.經歷環(huán)境測試/HA⒏Γ120小時。

   (4)失效模式:白動測試(ATE)連續(xù)性/開路。

   (5)失效機理:環(huán)氧樹脂勹器件表面之問嚴重分層(爆米花效應),導致Pin Λ8焊接點和鋁焊盤脫離。

   (6)失效原因:該封裝廠產品密封性差.塑封材料內的水分在高溫下受熱發(fā)生嘭脹,使塑封料與金屬柜架和`B片"j發(fā)F卜分層討訌斷鍵合絲或和鋁焊盤脫離.發(fā)生開路失效:

    (7)所采用的分析方法:C分析:Hr\s'「(highl卜:accclerated tcn1pera1urc humiditys1ress test).加速壽命實驗.主要檢驗環(huán)氧樹脂封裝器件的耐腐蝕能力・如致密性c失效模式:連續(xù)性∷.開路。同封裝制程質量強相關。因此.用檢測封裝器件的非破壞性分析手段,

sAM和X Ray進行分析。②外觀檢查:正常。③SAM:環(huán)氧樹脂與器件表面之間嚴重分層,如圖14,30所示。①開封/內部檢查及SEM:掃描電鏡觀察分層導致Pin A8金球/焊接點和鋁焊盤脫離,如圖1途,31所示。