理論上IDDQ測試的失效現(xiàn)象是存在不正常的大漏電流路徑.在時效分析手法用EMMI或OBRIC H最有效。 OB2226AP因為大漏電流引起的熱點(diǎn)、外線L及復(fù)臺產(chǎn)t的光子等・由此對缺陷點(diǎn)做定位c一旦失效位置確定舌.冉倩助相天T具莪。J以判斷失效村L理・進(jìn)雨i提供解決方案,提升良率。

   IDDQ測試與可靠性

   IDDQ測試方法對于芯片的可靠性提升是很有幫助的。有兩種可能的漏電流來源.一個是缺陷造成的,一個是晶體管過大的漏電流。如果芯片可以通過掃描和功能測試.但I(xiàn)DDQ電流過大,統(tǒng)計表明,這類芯片會有較大的可靠性隱患。