IDDQ測試和失效分析
發(fā)布時間:2017/11/22 20:41:46 訪問次數(shù):795
理論上IDDQ測試的失效現(xiàn)象是存在不正常的大漏電流路徑.在時效分析手法用EMMI或OBRIC H最有效。 OB2226AP因為大漏電流引起的熱點、外線L及復(fù)臺產(chǎn)t的光子等・由此對缺陷點做定位c一旦失效位置確定舌.冉倩助相天T具莪。J以判斷失效村L理・進雨i提供解決方案,提升良率。
IDDQ測試與可靠性
IDDQ測試方法對于芯片的可靠性提升是很有幫助的。有兩種可能的漏電流來源.一個是缺陷造成的,一個是晶體管過大的漏電流。如果芯片可以通過掃描和功能測試.但IDDQ電流過大,統(tǒng)計表明,這類芯片會有較大的可靠性隱患。
理論上IDDQ測試的失效現(xiàn)象是存在不正常的大漏電流路徑.在時效分析手法用EMMI或OBRIC H最有效。 OB2226AP因為大漏電流引起的熱點、外線L及復(fù)臺產(chǎn)t的光子等・由此對缺陷點做定位c一旦失效位置確定舌.冉倩助相天T具莪。J以判斷失效村L理・進雨i提供解決方案,提升良率。
IDDQ測試與可靠性
IDDQ測試方法對于芯片的可靠性提升是很有幫助的。有兩種可能的漏電流來源.一個是缺陷造成的,一個是晶體管過大的漏電流。如果芯片可以通過掃描和功能測試.但IDDQ電流過大,統(tǒng)計表明,這類芯片會有較大的可靠性隱患。
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