IDDQ測(cè)試可以偵測(cè)到的缺陷有開/短路、橋接、柵氧層擊穿等物理缺陷,這些缺OB2211CP陷都會(huì)引發(fā)明顯的Jm舊電流增大。內(nèi)部連接線的短路與橋接如果存在電位差,即引起升高的電源電流。開路造成下級(jí)電路浮接,CMOs間門無法完全緊閉,也形成漏電。

   IDDQ測(cè)試的概念比較直觀,容易了解,也容易實(shí)現(xiàn)。但要達(dá)到高覆蓋率的r1m測(cè)試,關(guān)鍵是如何在缺陷處形成電位差,引發(fā)異常漏電流。這就需要引進(jìn)測(cè)試矢量來配合。許多設(shè)計(jì)模擬工具可以提供rm)Q測(cè)試矢量生成。此外,IDDQ測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)也必須跟著定期檢查,以避免不正確的rm汨測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)(specification)設(shè)定造成的誤殺(over kill)或誤放(under kill)。而制造T藝的△程變更,也會(huì)造成電流分布的變化JmⅪ測(cè)試電路如圖18,4所示.