光刻 (PhotO|ithography) AAT1100-T

   光刻技術(shù)是在一片平整的晶圓上構(gòu)建半導(dǎo)體MOs管和電路的基礎(chǔ),這其中包含很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠,隨后讓強(qiáng)光通過(guò)一塊刻有電路圖案的鏤空掩膜板照射在晶圓上。被照射的部分(如源區(qū)和漏L×)的光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì),而

構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到,所以光刻膠會(huì)仍舊黏連在上面。接下來(lái)就是用腐蝕性液體清洗晶圓,變質(zhì)的光刻膠會(huì)被除去,露出下面的晶圓,而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。

   刻蝕 (Etching)

   刻蝕是使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用將材料移除的技術(shù)�？涛g技術(shù)可以分為濕刻蝕(Wct Etching)和干刻蝕(Dγ Etching)兩類。濕刻蝕是使用化學(xué)溶液,經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)達(dá)到刻蝕的目的。而干刻蝕通常是一種電漿刻蝕(PhsmaFd血g),其刻蝕作用可能是電漿中離子撞擊芯片表面的物理作用,或者是電漿中活性自由基(RadiGal)與芯片表面原子間的化學(xué)反應(yīng),甚至也可能是這兩者的復(fù)合作用�？涛g結(jié)束后利用另一種稱為去膠機(jī)的等離子體裝置,用離子化的氧氣將晶圓表面的光刻膠去除,緊接著用一種化學(xué)試劑徹底清洗晶圓。