降低缺陷是CMP工藝,乃至整個芯片制造的永恒話題c隨著器件特征K寸的不斷縮、缺陷對于I藝控制和最終良率的影響愈發(fā)明形,致命缺陷的大小至少要求小于器件尺寸的50%。

   金屬殘余物QAMI5516AUA

   Cu CMP一個皋本的問題便是氧化硅介質上的金屬殘余物(residue),這會導致電學短路。這種金屬殘留主要是由于介質層的表面不平引起的,土一層銅拋光所產生的凹陷(dishing)和侵蝕(er°sion),則會在下一層銅拋光屮形成金屬殘留。

   銅自白謂蚜饣蟲(corrosion)

   銅的腐蝕(corrosion)是一種常見而棘手的缺陷。引起腐蝕的原因有很多種。

   1)電偶腐蝕(ga1mnic corrosion)

   電偶腐蝕是一種電化學過程,兩種不同的金屬連接在一起浸在電解液中形成一個電勢差,陽極金屬離子通過電解液向負極遷移,陽極金屬發(fā)生腐蝕。一個普通的例子是:碳鋅電池中,鋅發(fā)生腐蝕并產生電流。在Cu CMP的過程中,銅和阻擋層金屬鉭(tan1alum)恰好形成電偶,而含有硫、氯或氟的去離子水(DIW).研磨液或清洗液則正好是電解液。

   2)隙問腐蝕(crevicc corrosion)

   隙問腐蝕是由滲透在銅和鉭((lu/Ta)之門微小間隙中的電解液引起的,見圖11,1o。來自于銅中的硫或FTα)S中的氟,溶解于電解液后則會加強此效應。