在先進(jìn)I藝中,隨著金屬連線的尺寸越來(lái)越小,微小的銅線高度的變化,就會(huì)造Q62702A950成很大的電阻值和電容值的變化。在銅拋光中銅去除量的波動(dòng)是電阻值波動(dòng)的主要來(lái)源之一。所以先進(jìn)工藝對(duì)銅拋光的第」大挑戰(zhàn)是如何降低電阻值R、的波動(dòng)。銅拋光中銅去除量的波動(dòng)是其WIW/WID/WTW非均勻性,以及其凹陷(dishing)與侵蝕(crosion)所形成的綜合效果。當(dāng)WIW/WID/WTW非均勻性得到改進(jìn),銅的去除量則可降低;另外當(dāng)主要由凹陷與侵蝕引起的上一層的非平整度降低,下一層銅拋光中的銅去除量也可大大降低。銅拋光中WIW/WID/WTW非均勻性以及凹陷與侵蝕的改善依賴于很多囚素,它是研磨液、拋光墊和拋光墊修整過(guò)程在各種拋光條件下相互作用的綜合效果。第=步阻擋層的研磨對(duì)R、波動(dòng)的影響尤為明顯。所以通過(guò)終點(diǎn)檢測(cè)和APC)提高其控制能力,通過(guò)拋光墊和拋光墊修整條件的改善減少新舊拋光墊間的差異以及阻擋層研磨拋光選擇性的優(yōu)化、表面形貌修正能力的改善,對(duì)降低R、波動(dòng)至關(guān)重要。另外,在先進(jìn)工藝中,介質(zhì)層會(huì)由帽封層(如TE(B)和低乃材料所組成。為了提高拋光的控制能力,降低WTW的R、波動(dòng),低慮材料的拋光速率應(yīng)該低于帽封層的拋光速率。采用這種具有自動(dòng)停止(self stop)功能的研磨液,也成為近年來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)之一,以降低電阻值的波動(dòng),見(jiàn)圖11.15。