去掉,并進(jìn)行第二次RTA(740℃)。因此,有源區(qū)和多晶硅柵區(qū)域會以自對準(zhǔn)的方式鈷的硅化物,這被稱為自對準(zhǔn)多晶硅化物工藝E"]

然后,通過沉積氮氧硅(150A)和磷硅玻璃(PSG,5,5kA)形成多金屬介質(zhì)(PMD),并使用CMP進(jìn)行平坦化。 A3967SLBTR-T沉積一層CVD氧化物(Teos o蛀de)用來密封PSG。然后形成打開接觸孔的掩模(掩模CT),隨后刻蝕接觸孔上的PSG和⒏N。接下來濺射Ti(150A)和TiN(50A),用CVD法沉積鎢(W,3kA)并用RTA(700℃)進(jìn)行退火�！鲗訉τ跍p小接觸電阻

十分重要,側(cè)壁上覆蓋的TiN用以保證W填充工藝的完整性[12],使得填充到接觸孔中的W沒有空隙。對鎢表面進(jìn)行拋光(使用CMP)直到露出Teos°xid表面,此時接觸孔內(nèi)的鎢塞就形成了。

   金屬△的形成(單鑲嵌)

   這之后沉積金屬間介質(zhì)層(IMD),例如⒊CN(300A)含碳低乃PECVD氧化硅(2kA)和Te°s°妊dc(250A),并進(jìn)行圖形化(使用掩模meta⒈1)和氧化物刻蝕。IMD1層主要是為了良好的密封和覆蓋更加多孔的低乃介質(zhì)。然后沉積Ta/TaN和銅種子層,隨后填充銅(通過ECP法)并用CMP進(jìn)行平坦化。金屬1互連就形成了。