《半導(dǎo)體分立器件外殼通用規(guī)范》的改版過(guò)程,相比老版,GJB呢3A增加測(cè)鍍金質(zhì)量、鍍鎳質(zhì)量的測(cè)試方法,這更能體現(xiàn)半導(dǎo)體分立器件封裝外殼鍍層質(zhì)量測(cè)試的特殊性。 K4B1G1646G-BCH9增加了引線電阻、引線間電容的測(cè)試條件,使標(biāo)準(zhǔn)適應(yīng)產(chǎn)品的發(fā)展方向,刪除了老版中附錄D中的試驗(yàn)方法,同時(shí)引用了GJB360A-1996、GJB548A-1996中的部分試驗(yàn)方法,標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)上取消了原版中附錄A、附錄B、附錄C、附錄D以及正文中有關(guān)認(rèn)證、檢驗(yàn)職責(zé)、質(zhì)量或檢驗(yàn)大綱要求的制定、擔(dān)保、不合格管理等方面的內(nèi)容。

    第四類為半導(dǎo)體光電子器件封裝外殼,依據(jù)GJB5侶8-200~s《半導(dǎo)體光電子器件外殼通用規(guī)范》進(jìn)行試驗(yàn),其檢驗(yàn)項(xiàng)目包括外部目檢、外形尺寸、鍍層厚度、電特性與光特性(絕緣電阻、光窗光透過(guò)率、光窗平面度、透鏡中心差)、引線牢固性(拉力、引線疲勞)、密封(細(xì)檢漏、粗檢漏)、引線鍍覆粘附強(qiáng)度、鍍金質(zhì)量、鍵合強(qiáng)度(熱壓焊、超聲焊、倒裝焊)、芯片剪切、可焊性、熱沖擊、溫度循環(huán)、耐濕、穩(wěn)定性烘培、鹽霧、機(jī)械沖擊、掃頻振動(dòng)、恒定加速度等。    GJB5438―2005《半導(dǎo)體光電子器件外殼通用規(guī)范》是新制定的關(guān)于半導(dǎo)體光電子器件封裝外殼,試驗(yàn)內(nèi)容參考其他三類規(guī)范,突出了對(duì)光電子器件封裝外殼的光特性的規(guī)定。此標(biāo)準(zhǔn)隨著光電子器件和光電子器件封裝外殼的發(fā)展,將會(huì)進(jìn)一步完善。

   以上四大類標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了外殼需考核的性能指標(biāo),還規(guī)定了其需考核的環(huán)境適應(yīng)性、物理可靠性的指標(biāo),總結(jié)起來(lái)標(biāo)準(zhǔn)中一般都包括下列試驗(yàn)項(xiàng)目:目檢、物理尺寸、密封、溫度循環(huán)、熱沖擊、引線牢固性、絕緣電阻、引線電阻、引線間電容、介質(zhì)耐電壓、鍍層質(zhì)量、鍵

合強(qiáng)度、可焊性(適用時(shí))、耐濕、鹽霧、機(jī)械沖擊、恒定加速度等。其中目檢、物理尺寸、鍍層質(zhì)量、密封、鍵合強(qiáng)度、可焊性都是考核外殼工藝質(zhì)量的可靠性,溫度循環(huán)、熱沖擊、耐濕、鹽霧、機(jī)械沖擊、恒定加速度考核其環(huán)境適應(yīng)性。而絕緣電阻、引線電阻、引線間電容、介質(zhì)耐電壓則是考核其電特性。