目前,常用的反應(yīng)劑有二種:硅烷系統(tǒng),主要是sH1/O2、⒏H/N20;正硅酸乙酯E記為TEC)s,分子式為s(oH5O)1]系統(tǒng),主要TEOS/02、TEOS/O3;二氯硅烷系統(tǒng),有SlH2C12/N20。在上述反 K4B1G1646G-BCH9應(yīng)劑系統(tǒng)中,硅源TEOS與襯底的黏滯系數(shù)小,約比硅烷小一個數(shù)量級。所以再發(fā)射能力和表面遷移能力都強(qiáng),采用TEOS為硅源淀積的二氧化硅薄膜的臺階覆蓋特性好于以硅烷為硅源的反應(yīng)劑系統(tǒng)。需要在有高深寬比微結(jié)構(gòu)的襯底上淀積氧化層時,為了得到更好的合階覆蓋特性,一定要選擇TEOS為硅源。

    薄膜的質(zhì)量控制除了在7.2,3節(jié)中介紹的臺階覆蓋、應(yīng)力等特性之外,作為介質(zhì)薄膜時,介質(zhì)電特性很重要;作為摻雜掩膜時,抗腐蝕性很重要;作為保護(hù)膜時,薄膜成分及穩(wěn)定性很重要。因此,在不同的應(yīng)用場合,對CVD si()2薄膜質(zhì)量特性的要求不同,考指標(biāo)也就不同,通常與常規(guī)考查方法有所區(qū)別。例如,考查CVDsio2薄膜的致密性,通�？捎赡ぴ跉浞岣g液中的腐蝕速率來粗略判斷,腐蝕速率越快,薄膜密度越低。另外,通常把CVD slf,2薄膜的光學(xué)折射系數(shù)″與熱生長二氧化硅薄膜的折射系數(shù)(l,46)的偏差作為衡量SK)2薄膜質(zhì)量的一個指標(biāo)。當(dāng)薄膜的折射系數(shù)>1.46時,表明該薄膜是富硅的;當(dāng)″1,46時表明是低密度的疏松薄膜。