GaN和SiC寬禁帶技術(shù)晶圓制造效率

發(fā)布時間:2020/10/23 23:18:22 訪問次數(shù):1912

全新Keithley S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)搭載了KTE 7軟件，提供更多增強功能。S530平臺使半導(dǎo)體制造商為高速增長的新技術(shù)增加參數(shù)測試功能，同時最大程度地減少資本投入和提高每小時晶圓制造效率。這將降低整體擁有成本，幫助制造商在競爭激烈的新興市場中應(yīng)對巨大的價格壓力。

基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。為滿足這些產(chǎn)品的測試需求，基于KTE 7的S530平臺擁有實驗室級測量性能，并且設(shè)置和測試時間最短。針對新應(yīng)用的出現(xiàn)和需求的變化，可以實現(xiàn)高達1100V的全面靈活的高速配置。

制造商: Micron Technology

產(chǎn)品種類: 動態(tài)隨機存取存儲器

類型: SDRAM - DDR3

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: FBGA-96

數(shù)據(jù)總線寬度: 16 bit

組織: 256 M x 16

存儲容量: 4 Gbit

電源電壓-最大: 1.45 V

電源電壓-最小: 1.283 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 95 C

系列: MT41K

封裝: Tray

商標(biāo): Micron

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: DRAM

工廠包裝數(shù)量: 1224

子類別: Memory & Data Storage

單位重量: 4.893 g

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