表面缺陷的技術(shù)以及局部光散射體

發(fā)布時(shí)間:2020/11/3 13:23:38 訪問次數(shù):1164

“用于制造極紫外線掩模的計(jì)算光刻技術(shù)軟件”涵蓋EUV光刻所需的特定軟件，包括與三維（3D）效應(yīng)、掩模陰影效應(yīng)、光照方向效應(yīng)、遠(yuǎn)距離眩光效應(yīng)、鄰近效應(yīng)、抗蝕劑中的隨機(jī)性效應(yīng)以及源掩模優(yōu)化有關(guān)的軟件，這類軟件是在晶圓上做出經(jīng)過優(yōu)化的光刻膠圖案必需的軟件；

Samtec通過嚴(yán)苛環(huán)境測試的 (SET) 解決方案包括連接器、高速插座、排針和插座，適用于各種惡劣環(huán)境。這些SET解決方案的測試標(biāo)準(zhǔn)超過了典型的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，進(jìn)行了額外測試以確保它們更適合工業(yè)、軍事、汽車和其他極端應(yīng)用。

測試

在100%相對(duì)濕度下可耐受250個(gè)插/拔周期

高度上的DWV – 模擬高度70,000英尺，300VAC下持續(xù)60秒

在5kV、10kV和15kV下測試靜電放電

溫度循環(huán)-65°C至+125°C（500個(gè)周期，30分鐘的駐留時(shí)間）

機(jī)械沖擊40G，峰值沖擊11ms，半正弦

隨機(jī)振動(dòng)12gRMS，5Hz至2000Hz，每個(gè)軸1小時(shí)

應(yīng)用

軍事

航空

航天汽車

工業(yè)醫(yī)療

實(shí)施出口管制的六大技術(shù)中，芯片相關(guān)技術(shù)首當(dāng)其沖，包括“用于制造極紫外線掩模的計(jì)算光刻技術(shù)軟件”、“用于為 5nm 生產(chǎn)精加工芯片的技術(shù)”兩項(xiàng)。

美國出口管制的兩大芯片技術(shù)都與芯片制造中最重要的設(shè)備光刻機(jī)息息相關(guān)，尤其是當(dāng)下5nm芯片已成為高端芯片時(shí)代的主流產(chǎn)品，EUV光刻機(jī)的重要性可想而知。

而“用于為 5nm 生產(chǎn)精加工芯片的技術(shù)”旨在應(yīng)用于面向5nm生產(chǎn)的晶圓，包括對(duì)直徑300 mm的硅晶圓進(jìn)行切片、打磨和拋光以達(dá)到某些標(biāo)準(zhǔn)所需要的技術(shù)，以及盡量減小平坦度（或SFQR）和表面缺陷的技術(shù)以及局部光散射體（LLS）。以上兩類技術(shù)都受到國家安全和反恐管制的約束。