N溝道增強(qiáng)型MOs管串器電路接構(gòu)成CMOs與非門電路
發(fā)布時(shí)間:2023/4/27 22:48:33 訪問次數(shù):58
CMOS與非門電路 由兩個(gè)以上COMS反相器P溝道,增強(qiáng)型MOS管源極和漏極分別并接,N溝道增強(qiáng)型MOs管串器電路接,就構(gòu)成CMOs與非門電路。
當(dāng)兩個(gè)輸入端全為1時(shí),輸出端為0;當(dāng)輸人端中有一個(gè)或全部為0時(shí),輸出端為1。
基本RS觸發(fā)器a)邏輯電路 b)邏輯符號(hào)
Q=SQ Q=RQ
當(dāng)R=1、s=0時(shí),不論Q為何種狀態(tài),都有Q=1,且Q=0。當(dāng)R=0、S=1時(shí),有Q=0、Q=1。
觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。Q=l、Q=0時(shí),稱觸發(fā)器處于1態(tài),反之則為0態(tài)。s=0、R=1使觸發(fā)器置1(或稱置位),因置位的決定性條件是s=0,故稱S端為置1端。s=1、R=0使觸發(fā)器置0(或稱復(fù)位),故稱R端為置0端。
若觸發(fā)器原來為0態(tài),要使之變?yōu)?態(tài),必須讓R端的電平由0變1,S端曲1變0,這時(shí)所加的輸入信號(hào)稱為觸發(fā)信號(hào),所導(dǎo)致的過程稱為翻轉(zhuǎn)。
基本RS觸發(fā)器的R=S=1時(shí),觸發(fā)器保持原狀態(tài)不變(即具有記憶功能);而當(dāng)R=S=0時(shí),將不能確定觸發(fā)器是處于1態(tài)還是0態(tài)(這種情況應(yīng)當(dāng)避免)。

組合邏輯電路的分析方法:
由邏輯圖寫出各輸出端邏輯表達(dá)式。
化簡(jiǎn)和變換各邏輯表達(dá)式。
列出真值表。
根據(jù)真值表和邏輯表達(dá)式對(duì)邏輯電路進(jìn)行分析,最后確定其功能。
組合邏輯電路的設(shè)計(jì)方法:
根據(jù)對(duì)電路邏輯功能的要求,列出真值表。
由真值表寫出邏輯表達(dá)式。
化簡(jiǎn)和變換邏輯表達(dá)式。
CMOS與非門電路 由兩個(gè)以上COMS反相器P溝道,增強(qiáng)型MOS管源極和漏極分別并接,N溝道增強(qiáng)型MOs管串器電路接,就構(gòu)成CMOs與非門電路。
當(dāng)兩個(gè)輸入端全為1時(shí),輸出端為0;當(dāng)輸人端中有一個(gè)或全部為0時(shí),輸出端為1。
基本RS觸發(fā)器a)邏輯電路 b)邏輯符號(hào)
Q=SQ Q=RQ
當(dāng)R=1、s=0時(shí),不論Q為何種狀態(tài),都有Q=1,且Q=0。當(dāng)R=0、S=1時(shí),有Q=0、Q=1。
觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。Q=l、Q=0時(shí),稱觸發(fā)器處于1態(tài),反之則為0態(tài)。s=0、R=1使觸發(fā)器置1(或稱置位),因置位的決定性條件是s=0,故稱S端為置1端。s=1、R=0使觸發(fā)器置0(或稱復(fù)位),故稱R端為置0端。
若觸發(fā)器原來為0態(tài),要使之變?yōu)?態(tài),必須讓R端的電平由0變1,S端曲1變0,這時(shí)所加的輸入信號(hào)稱為觸發(fā)信號(hào),所導(dǎo)致的過程稱為翻轉(zhuǎn)。
基本RS觸發(fā)器的R=S=1時(shí),觸發(fā)器保持原狀態(tài)不變(即具有記憶功能);而當(dāng)R=S=0時(shí),將不能確定觸發(fā)器是處于1態(tài)還是0態(tài)(這種情況應(yīng)當(dāng)避免)。

組合邏輯電路的分析方法:
由邏輯圖寫出各輸出端邏輯表達(dá)式。
化簡(jiǎn)和變換各邏輯表達(dá)式。
列出真值表。
根據(jù)真值表和邏輯表達(dá)式對(duì)邏輯電路進(jìn)行分析,最后確定其功能。
組合邏輯電路的設(shè)計(jì)方法:
根據(jù)對(duì)電路邏輯功能的要求,列出真值表。
由真值表寫出邏輯表達(dá)式。
化簡(jiǎn)和變換邏輯表達(dá)式。
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