n-Si和p-Si體內(nèi)遷移率
發(fā)布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):1136
n-si和p-si表面有效遷移率還不到 體內(nèi)遷移率的一半，并且與晶向有關(guān)。
具體數(shù)值與硅表面狀況有關(guān)。mos工藝常選用(100)晶向的單晶做襯底.
靜態(tài)功耗的三種成因
②動態(tài)（dynamic）功耗
動態(tài)功耗ps由三部分組成：a、電路邏輯操作所引起的狀態(tài)改變所需功耗；b、p管與n管閾值電壓重疊所產(chǎn)生的導(dǎo)通電流所需功耗；c、不同路徑的時間延遲不同所產(chǎn)生的競爭冒險所需功耗。
n-si和p-si表面有效遷移率還不到 體內(nèi)遷移率的一半，并且與晶向有關(guān)。
具體數(shù)值與硅表面狀況有關(guān)。mos工藝常選用(100)晶向的單晶做襯底.
靜態(tài)功耗的三種成因
②動態(tài)（dynamic）功耗
動態(tài)功耗ps由三部分組成：a、電路邏輯操作所引起的狀態(tài)改變所需功耗；b、p管與n管閾值電壓重疊所產(chǎn)生的導(dǎo)通電流所需功耗；c、不同路徑的時間延遲不同所產(chǎn)生的競爭冒險所需功耗。
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