與倒相器設(shè)計(jì)有關(guān)的參數(shù)大致有三類：
第i類叫作“選定參數(shù)”，是指那些在一定條件下，不可能大幅度調(diào)整而需預(yù)先確定的參數(shù)。例如：μ，tox，λ，ron，xj，l，vdd，vgg，vbs，js等。
第ⅱ類叫作“可控參數(shù)”，是指那些可在一定范圍內(nèi)加以控制的參數(shù)。例如：nb，γ，vt等。
第ⅲ類叫作“電路參數(shù)”，是指那些由用戶提出的、標(biāo)志電路性能要求的參數(shù)．例如：高低電平、直流傳輸特性、噪聲容限、負(fù)載能力、上升和下降時(shí)間、功率耗散和占用管芯面積等。

倒相器的設(shè)計(jì)，通常是先確定“選定參數(shù)”和“可控參數(shù)”，然后再從某些電路參數(shù)的要求出發(fā)進(jìn)行設(shè)計(jì)計(jì)算。計(jì)算結(jié)果若不能全面滿是原來提的要求，再進(jìn)行修改直至全面滿足要求為止。設(shè)計(jì)的最終目標(biāo)是獲得可控參數(shù)數(shù)值和倒相器中管子的尺寸。

倒相器的設(shè)計(jì)，通常是先確定“選定參數(shù)”和“可控參數(shù)”，然后再從某些電路參數(shù)的要求出發(fā)進(jìn)行設(shè)計(jì)計(jì)算。計(jì)算結(jié)果若不能全面滿是原來提的要求，再進(jìn)行修改直至全面滿足要求為止。設(shè)計(jì)的最終目標(biāo)是獲得可控參數(shù)數(shù)值和倒相器中管子的尺寸。在一定的工藝條件下，倒相器的設(shè)計(jì)，關(guān)鍵是對晶體管的尺寸(w／l)的設(shè)計(jì)，并由確定的溝道長度l，獲得溝道寬度的具體數(shù)值�？梢詰�(yīng)用上升時(shí)間tr（19）與下降時(shí)間tf（20）公式計(jì)算器件的寬長比(w／l)。當(dāng)輸出信號的幅度變化只能從 0.1vdd~0.9vdd時(shí)，則輸出信號的周期就為上升與下降時(shí)間之和，且信號成為鋸齒波，這時(shí)所對應(yīng)的信號頻率被認(rèn)為是倒相器的最高工作頻率。

在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，通常要預(yù)留一定的設(shè)計(jì)余量，當(dāng)確定了信號的最高工作頻率要求后，在考慮了余量后就可以獲得上升時(shí)間與下降時(shí)間的數(shù)值，根據(jù)工藝提供的器件的閾值電壓數(shù)值、柵氧化層厚度等參數(shù)，即可以計(jì)算倒相器的nmos和pmos晶體管的具體尺寸。

通常在設(shè)計(jì)倒相器時(shí)，要求輸出波形對稱，也就是tr=tf，因?yàn)槭窃谕还に嚄l件下加工，nmos和pmos的柵氧化層的厚度相同，如果nmos和pmos的閾值電壓數(shù)值相等，則kp=kn。由導(dǎo)電因子的表達(dá)式可以得到如下結(jié)論：此時(shí)的 。

由此可以得到一個(gè)在這種條件下的簡便計(jì)算方法：只要計(jì)算tf， 并由此計(jì)算得到nmos管的寬長比(w/l)n，將此值乘2.5就是pmos管的
(w/l)p，反之也行。

[例題]設(shè)計(jì)一個(gè)倒相器，要求tr=tf=25ns，vtn=1v，vtp=－1v，vdd=5v，柵氧化層厚度為50nm， 負(fù)載電容cl=2pf，試計(jì)算nmos管和pmos管的寬長比(電子遷移率取μn=600cm2/v·s)。
解 由所給參數(shù)，得到αn=0.2，根據(jù)ε0和εsio2的數(shù)值以及柵氧化層的厚度，可以計(jì)算得到單位面積柵電容cox=6.9×10-8f/cm2，本征導(dǎo)電因子k’n=2.07×10-5a/v2，將的αn值代入式(4-20)，得

最后得到(w/l)n=1.43，近似取值2。將nmos的寬長比乘2.5，得 (w/l)p=2.5(w/l)n=5