河北工業(yè)大學的劉玉嶺教授借鑒了金-硅鍵合技術的特點對硅-硅直接鍵合技術進行了擴展，形成了一種新的硅-硅直接鍵合技術—si-ge共熔鍵合^[1]，工藝流程如圖1.9所示，主要的工藝為：在兩個硅片表面淀積一層ge，面對面重合，然后退火再結晶，鍵合完成，最后減薄和拋光。實質上是單晶ge升溫熔化后與si共熔，在溫度降低時共熔體重新結晶形成了一種新的硅鍺半導體層而成為一體。ge-si 之間形成連續(xù)固熔體體系，相圖如圖1.10所示。

圖1.9 si-ge共熔鍵合鍵合工藝過程