在過去的20年中，硅-硅直接鍵合技術(shù)得到了迅速的發(fā)展，并且硅-硅直接鍵合技術(shù)的發(fā)展也是伴隨著各項單項工藝和應(yīng)用的不斷發(fā)展而發(fā)展的。硅-硅直接鍵合技術(shù)的單項工藝的發(fā)展主要在活化處理的方法和條件以形成良好的預(yù)鍵合硅片和退火處理工藝以得到符合各項要求的鍵合硅片。在活化處理方法上，提出了h₂so₄和h₂o₂溶液、rca1溶液、rca2溶液液和氬氣或氧氣等離子體活化和三步處理活化工藝^[19~21]，這些都在鍵合工藝上得到應(yīng)用。在退火工藝上，退火溫度從1000℃到1200℃高溫退火到的低溫退火鍵合技術(shù)^[22]，從1大氣壓下退火到低壓退火。

低溫真空鍵合技術(shù)也是鍵合技術(shù)發(fā)展的一個新的趨勢。硅片直接鍵合前用等離子體活化處理，在真空低溫下就可以實現(xiàn)較高的鍵合強度^[23]。表面活化處理目的是增加表面的懸掛鍵，使硅片表面能增加。活化的表面具有很強的吸附能力，在較低的溫度下，鍵合界面就具有很強的鍵合強度，在適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟认�，鍵合界面的懸掛鍵很容易發(fā)生網(wǎng)絡(luò)重組，形成鍵合強度很高的共價鍵。1992年，t.sgua用離子束刻蝕法在超高真空（uhv）條件下實現(xiàn)了室溫鍵合^[24]。1996年，h.takagi對化學(xué)處理后的硅片在壓力小于2×10^-6pa真空條件下，用ar

在過去的20年中，硅-硅直接鍵合技術(shù)得到了迅速的發(fā)展，并且硅-硅直接鍵合技術(shù)的發(fā)展也是伴隨著各項單項工藝和應(yīng)用的不斷發(fā)展而發(fā)展的。硅-硅直接鍵合技術(shù)的單項工藝的發(fā)展主要在活化處理的方法和條件以形成良好的預(yù)鍵合硅片和退火處理工藝以得到符合各項要求的鍵合硅片。在活化處理方法上，提出了h₂so₄和h₂o₂溶液、rca1溶液、rca2溶液液和氬氣或氧氣等離子體活化和三步處理活化工藝^[19~21]，這些都在鍵合工藝上得到應(yīng)用。在退火工藝上，退火溫度從1000℃到1200℃高溫退火到的低溫退火鍵合技術(shù)^[22]，從1大氣壓下退火到低壓退火。

低溫真空鍵合技術(shù)也是鍵合技術(shù)發(fā)展的一個新的趨勢。硅片直接鍵合前用等離子體活化處理，在真空低溫下就可以實現(xiàn)較高的鍵合強度^[23]。表面活化處理目的是增加表面的懸掛鍵，使硅片表面能增加�；罨谋砻婢哂泻軓姷奈侥芰�，在較低的溫度下，鍵合界面就具有很強的鍵合強度，在適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟认�，鍵合界面的懸掛鍵很容易發(fā)生網(wǎng)絡(luò)重組，形成鍵合強度很高的共價鍵。1992年，t.sgua用離子束刻蝕法在超高真空（uhv）條件下實現(xiàn)了室溫鍵合^[24]。1996年，h.takagi對化學(xué)處理后的硅片在壓力小于2×10^-6pa真空條件下，用ar