鍵合SOI
發(fā)布時間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):742
硅-硅直接鍵合制備soi材料的主要工藝過程是: (1)鍵合，將兩個硅拋光片（其中一個或兩個硅片的表面有熱氧化層)進行清洗和活化處理，然后在室溫下貼合在一起，通過表面分子或原子間的作用力直接連在一起, 最后把預鍵合好的硅片在干氧氣氛中熱處理, 使鍵合界面發(fā)生復雜的物理化學反應，生成鍵合強度很大的共價鍵使鍵合的硅片成為一個整體；(2)減薄，減薄器件有源區(qū)硅層到微米甚至亞微米厚度, 這樣就得到了所需的soi材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面顆�？捎绊戞I合的質量, 會在界面產(chǎn)生空洞和應力。實驗證明
硅-硅直接鍵合制備soi材料的主要工藝過程是: (1)鍵合，將兩個硅拋光片（其中一個或兩個硅片的表面有熱氧化層)進行清洗和活化處理，然后在室溫下貼合在一起，通過表面分子或原子間的作用力直接連在一起, 最后把預鍵合好的硅片在干氧氣氛中熱處理, 使鍵合界面發(fā)生復雜的物理化學反應，生成鍵合強度很大的共價鍵使鍵合的硅片成為一個整體；(2)減薄，減薄器件有源區(qū)硅層到微米甚至亞微米厚度, 這樣就得到了所需的soi材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面顆�？捎绊戞I合的質量, 會在界面產(chǎn)生空洞和應力。實驗證明
上一篇：SOI的發(fā)展和特點
相關技術資料- 7-28100A全集成電源模塊MPM3695-100
- 7-28Teseo-VIC6A GNSS車用精準定位方案
- 7-28高效先進封裝工藝MPS 電源模塊應用設計
- 7-28模數(shù)轉換器 (Analog-to-Digital Converter，ADC)
- 7-28集成模數(shù)轉換器(ADC)高噪聲數(shù)字電路
- 7-28128 通道20 位電流數(shù)字轉換器MDC91128
- 7-26MOSFET 電感單片降壓開關模式變換器優(yōu)勢特征
- 7-26SiC MOSFET 和 IGBT 隔離式柵極驅動器應用
- 7-26新型 電隔離無芯線性霍爾效應電流傳感器
- 7-26業(yè)界超小絕對位置編碼器技術參數(shù)設計
- 7-26高帶寬、更高分辨率磁角度傳感技術應用探究
- 7-26MagAlpha 角度位置傳感器應用詳解
- 相關IC型號
公網(wǎng)安備44030402000607
