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方面的可靠性設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2012/4/18 19:32:29 訪問次數(shù):503

    通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來控制電子元器件的SGM4157YC6/TR某些失效模式是電子元器件可靠性設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容,因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)施了產(chǎn)品各部分連接、組裝及整體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性設(shè)計(jì),使其電學(xué)、熱學(xué)、氣密性、機(jī)械性能及理化性能良好,以滿足可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。同時(shí)通過選擇材料和零部件,進(jìn)行結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化,是電子元器件設(shè)計(jì)的方向。實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)方面的可靠性設(shè)計(jì)的基本方法有簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、采用新結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)等。
    1.簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    在滿足電子元器件功能要求的前提下,力求簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。隨著結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化,由結(jié)構(gòu)劣化引起失效的概率將會(huì)減少,反之就會(huì)增加;因此,簡(jiǎn)化電子元器件的結(jié)構(gòu)是控制失效模式的重要設(shè)計(jì)原則。
    2.采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)減少新的失效模式
    電子元器件的封裝結(jié)構(gòu)、內(nèi)部單元結(jié)構(gòu)、機(jī)械和電連接中已經(jīng)有許多標(biāo)準(zhǔn)化的結(jié)構(gòu),不僅在實(shí)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)時(shí)有成熟的工藝和設(shè)備,更重要的是大部分電子元器件標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的可靠性是經(jīng)過大量試驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)使用驗(yàn)證的。所以,在設(shè)計(jì)中采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)也是可靠性設(shè)計(jì)的重要原則。
    3.采用新結(jié)構(gòu)控制失效模式
    隨著電子元器件的發(fā)展和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大,對(duì)電子元器件的可靠性提出了許多新要求,滿足這些新要求需要在可靠性設(shè)計(jì)時(shí)采用新的結(jié)構(gòu)才能實(shí)現(xiàn)。另外,由于可靠性技術(shù)的發(fā)展,國(guó)內(nèi)外在探索減少和控制失效模式的研究中不斷獲得新的成果,提出了許多有效控制失效模式的新結(jié)構(gòu)。這些新結(jié)構(gòu)不僅提高了電子元器件的可靠性,同時(shí)也改善了電子元器件的技術(shù)性能。因此,在可靠性設(shè)計(jì)中積極慎重的采用新的結(jié)構(gòu)往往會(huì)在控制失效模式方面獲得階躍式的進(jìn)展。
    例如,穿心式濾波器被證明是抑制電磁干擾(EMI)最有效的無源元件之一,通常采用C形、LC形、7c形和T形四種結(jié)構(gòu)。根據(jù)結(jié)構(gòu)變化和各單元電容量、電感量的調(diào)整和匹配,改變截止頻率,就能實(shí)現(xiàn)對(duì)指定頻段電磁噪聲的抑制。
    最常用的C形結(jié)構(gòu)的濾波器本質(zhì)上是三端式穿心電容器單元。采用獨(dú)石結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的片式多層穿心電容器單元的接地端,一般在兩側(cè)同時(shí)引出而呈四端式結(jié)構(gòu)。
    在實(shí)現(xiàn)多組單元復(fù)合陣列化時(shí),亦共用該兩個(gè)接地端。片式多層EMI抑制濾波器廣泛用于計(jì)算機(jī)及其外設(shè)、汽車電子、數(shù)字式多媒體產(chǎn)品、移動(dòng)電話等通用線路,電源線路及信號(hào)線路波形保真等的EMI抑制。
    丌形結(jié)構(gòu)的濾波器由一個(gè)電感單元串聯(lián)于兩個(gè)穿心電容單元之間形成。英國(guó)SYFER公司生產(chǎn)的SBSMP型濾波器是采用這種結(jié)構(gòu),內(nèi)置電感量0.5)uH,額定電流10A,與C形結(jié)構(gòu)SBSMC型相比,具有更好的插入損耗特性,適用于高阻抗源高阻抗負(fù)載場(chǎng)合。
    通過結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)來控制電子元器件的SGM4157YC6/TR某些失效模式是電子元器件可靠性設(shè)計(jì)的主要內(nèi)容,因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)施了產(chǎn)品各部分連接、組裝及整體封裝結(jié)構(gòu)的可靠性設(shè)計(jì),使其電學(xué)、熱學(xué)、氣密性、機(jī)械性能及理化性能良好,以滿足可靠性設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求。同時(shí)通過選擇材料和零部件,進(jìn)行結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的小型化,是電子元器件設(shè)計(jì)的方向。實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)方面的可靠性設(shè)計(jì)的基本方法有簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、采用新結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)等。
    1.簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
    在滿足電子元器件功能要求的前提下,力求簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。隨著結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化,由結(jié)構(gòu)劣化引起失效的概率將會(huì)減少,反之就會(huì)增加;因此,簡(jiǎn)化電子元器件的結(jié)構(gòu)是控制失效模式的重要設(shè)計(jì)原則。
    2.采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)減少新的失效模式
    電子元器件的封裝結(jié)構(gòu)、內(nèi)部單元結(jié)構(gòu)、機(jī)械和電連接中已經(jīng)有許多標(biāo)準(zhǔn)化的結(jié)構(gòu),不僅在實(shí)現(xiàn)這些結(jié)構(gòu)時(shí)有成熟的工藝和設(shè)備,更重要的是大部分電子元器件標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的可靠性是經(jīng)過大量試驗(yàn)和現(xiàn)場(chǎng)使用驗(yàn)證的。所以,在設(shè)計(jì)中采用標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)也是可靠性設(shè)計(jì)的重要原則。
    3.采用新結(jié)構(gòu)控制失效模式
    隨著電子元器件的發(fā)展和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大,對(duì)電子元器件的可靠性提出了許多新要求,滿足這些新要求需要在可靠性設(shè)計(jì)時(shí)采用新的結(jié)構(gòu)才能實(shí)現(xiàn)。另外,由于可靠性技術(shù)的發(fā)展,國(guó)內(nèi)外在探索減少和控制失效模式的研究中不斷獲得新的成果,提出了許多有效控制失效模式的新結(jié)構(gòu)。這些新結(jié)構(gòu)不僅提高了電子元器件的可靠性,同時(shí)也改善了電子元器件的技術(shù)性能。因此,在可靠性設(shè)計(jì)中積極慎重的采用新的結(jié)構(gòu)往往會(huì)在控制失效模式方面獲得階躍式的進(jìn)展。
    例如,穿心式濾波器被證明是抑制電磁干擾(EMI)最有效的無源元件之一,通常采用C形、LC形、7c形和T形四種結(jié)構(gòu)。根據(jù)結(jié)構(gòu)變化和各單元電容量、電感量的調(diào)整和匹配,改變截止頻率,就能實(shí)現(xiàn)對(duì)指定頻段電磁噪聲的抑制。
    最常用的C形結(jié)構(gòu)的濾波器本質(zhì)上是三端式穿心電容器單元。采用獨(dú)石結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的片式多層穿心電容器單元的接地端,一般在兩側(cè)同時(shí)引出而呈四端式結(jié)構(gòu)。
    在實(shí)現(xiàn)多組單元復(fù)合陣列化時(shí),亦共用該兩個(gè)接地端。片式多層EMI抑制濾波器廣泛用于計(jì)算機(jī)及其外設(shè)、汽車電子、數(shù)字式多媒體產(chǎn)品、移動(dòng)電話等通用線路,電源線路及信號(hào)線路波形保真等的EMI抑制。
    丌形結(jié)構(gòu)的濾波器由一個(gè)電感單元串聯(lián)于兩個(gè)穿心電容單元之間形成。英國(guó)SYFER公司生產(chǎn)的SBSMP型濾波器是采用這種結(jié)構(gòu),內(nèi)置電感量0.5)uH,額定電流10A,與C形結(jié)構(gòu)SBSMC型相比,具有更好的插入損耗特性,適用于高阻抗源高阻抗負(fù)載場(chǎng)合。
相關(guān)技術(shù)資料
4-18方面的可靠性設(shè)計(jì)
相關(guān)IC型號(hào)
SGM4157YC6/TR
SGM45C1E682-4A

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